[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

源极部件；

漏极部件；

一个或多个沟道层，连接所述源极部件与所述漏极部件；

栅极结构，在所述源极部件与所述漏极部件之间，所述栅极结构与所述一个或多个沟道层中的每一个接合；

第一源极硅化物部件，在所述源极部件上方；

源极接触件，在所述第一源极硅化物部件上方；

第二源极硅化物部件，在所述源极部件下方；

通孔，在所述第二源极硅化物部件下方；以及

电源轨，在所述通孔下方，其中，所述第一源极硅化物部件和所述第二源极硅化物部件在截面图中完全包围所述源极部件。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

漏极硅化物部件，在所述漏极部件上方；

漏极接触件，在所述漏极硅化物部件上方；

第一介电部件，在所述漏极部件下方并从所述漏极部件延伸到所述电源轨；

第一介电层，在所述漏极部件的侧壁上；以及

气隙，暴露所述第一介电层的多个侧。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第二源极硅化物部件也布置在所述源极部件的侧壁上并与所述第一源极硅化物部件连接。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括所述源极接触件上方的第一互连结构。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，还包括所述电源轨下方的第二互连结构。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括第一介电部件，所述第一介电部件在所述栅极结构下方并从所述栅极结构延伸到所述电源轨。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述通孔包括Cu、Al、Co、W、Ti、Ta、Mo和Ru中的一种。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述电源轨包括Cu、Al、Co、W、Ti、Ta、Mo和Ru中的一种。

9.一种半导体结构，包括：

电源轨，在所述半导体结构的背侧上；

第一互连结构，在所述半导体结构的前侧上；

源极部件、漏极部件、多个沟道层和栅极结构，在所述电源轨与所述第一互连结构之间，其中，所述多个沟道层连接所述源极部件与所述漏极部件，并且所述栅极结构包裹所述沟道层中的每一个；

第一源极硅化物部件，布置在所述源极部件的背侧上并位于所述源极部件与所述电源轨之间的，其中，所述第一源极硅化物部件还布置在所述源极部件的从所述源极部件的所述背侧朝向所述半导体结构的前侧延伸的侧壁上；以及

第一通孔，连接所述第一源极硅化物部件与所述电源轨。

10.一种形成半导体结构的方法，包括：

提供结构，所述结构具有衬底、在所述衬底上方逐层交替堆叠的第一半导体层和第二半导体层的堆叠件、布置在所述堆叠件的沟道区上方的牺牲栅极结构以及位于所述牺牲栅极结构的相对侧壁上的栅极间隔件；

邻近所述堆叠件蚀刻所述栅极间隔件，以在所述牺牲栅极结构的两侧上形成源极沟槽和漏极沟槽；

在所述源极沟槽中外延生长源极部件，并在所述漏极沟槽中外延生长漏极部件；

在所述源极部件的侧面、所述漏极部件的侧面、所述源极沟槽的侧面和所述漏极沟槽的侧面上形成第一介电层；以及

在所述第一介电层、所述源极部件和所述漏极部件上方形成接触蚀刻停止层(CESL)，其中，在所述源极沟槽中在所述接触蚀刻停止层与所述第一介电层之间密封有第一气隙，并且在所述漏极沟槽中在所述接触蚀刻停止层与所述第一介电层之间密封有第二气隙。