[发明专利]CZT晶体及其后处理方法、CZT晶片、核辐射探测器件及其制备方法

权利要求书

1.一种CZT晶体的后处理方法，其特征在于，包括如下步骤：

采用移动加热器法生长CZT晶体；

将所述CZT晶体先在870℃～930℃下进行原位退火处理50h～70h，然后在50h～80h内将温度降至400℃～420℃，最后在400℃～420℃下保温40h～50h。

2.根据权利要求1所述的CZT晶体的后处理方法，其特征在于，所述采用移动加热器法生长CZT晶体的步骤包括：

以纯度均不低于99.99999％的Cd、Zn、Te及In为原料，合成CZT多晶料和富Te的多晶料；

将籽晶、所述富Te的多晶料和所述CZT多晶料从下至上依次置于反应容器中；

采用移动加热器法，在850℃～950℃下生长400h～450h获得所述CZT晶体。

3.根据权利要求2所述的CZT晶体的后处理方法，其特征在于，所述反应容器为内表面镀碳膜的石英容器。

4.一种CZT晶体，其特征在于，由权利要求1～3任一项所述的CZT晶体的后处理方法处理后得到。

5.一种CZT晶片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

获得权利要求4所述的CZT晶体；

选取所述CZT晶体中的单晶，进行切片，制备CZT晶片。

6.根据权利要求5所述的CZT晶片的制备方法，其特征在于，还包括对CZT晶片进行机械抛光和化学抛光的步骤。

7.根据权利要求6所述的CZT晶片的制备方法，其特征在于，所述机械抛光的步骤包括：将所述CZT晶片分别用含有粒径为0.5μm的氧化镁的抛光液和含有粒径为0.05μm的氧化铝的抛光液进行抛光20min～30min，然后用水清洗、干燥。

8.根据权利要求6或7所述的CZT晶片的制备方法，其特征在于，所述化学抛光的步骤包括：将机械抛光处理后的所述CZT晶片依次置于质量百分浓度为2％的溴甲醇溶液和质量百分浓度为2％的溴乙二醇溶液中进行化学抛光2min～3min，然后用甲醇清洗、干燥。

9.一种CZT晶片，其特征在于，由权利要求5～8任一项所述的CZT晶片的制备方法制备得到。

10.根据权利要求9所述的CZT晶片，其特征在于，所述CZT晶片的尺寸为10mm×10mm×2mm。

11.一种核辐射探测器件，其特征在于，包括CZT晶片、金电极和电路组件，所述金电极沉积在所述CZT晶片两侧，所述电路组件与所述金电极电连接，所述CZT晶片为权利要求9或10所述的CZT晶片。

12.根据权利要求11所述的核辐射探测器件，其特征在于，在所述CZT晶片的一侧，所述金电极的厚度为70nm～100nm。

13.一种核辐射探测器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在CZT晶片两侧沉积金电极，所述CZT晶片为权利要求9或10所述的CZT晶片；

将所述金电极与电路组件电连接，制备核辐射探测器件。

14.根据权利要求13所述的核辐射探测器件的制备方法，其特征在于，采用电子束蒸发的方式在所述CZT晶片两侧沉积所述金电极。

15.根据权利要求13所述的核辐射探测器件的制备方法，其特征在于，所述在CZT晶片两侧沉积金电极的步骤之前还包括：依次用酒精、丙酮对所述CZT晶片进行超声清洗，然后用去离子水对所述CZT晶片清洗2次～5次。