[发明专利]存储器装置中的低电阻通孔触点

权利要求书

1.一种方法，包含：

形成延伸穿过介电材料的通孔，其中所述介电材料设置在所述通孔和用于存储器阵列的一组材料之间；

在用于所述存储器阵列的所述一组材料和所述通孔上方形成第一材料；

在所述第一材料上方形成第一金属层，其中所述第一金属层用于所述存储器阵列的接入线；

平坦化所述第一金属层的顶表面；以及

在所述第一金属层上方形成用于所述接入线的第二金属层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

平坦化所述第一金属层的所述顶表面去除所述第一金属层的一部分和所述第一材料的一部分以暴露所述通孔的顶表面。

3.根据权利要求1所述的方法，其中平坦化所述第一金属层的所述顶表面包含：

将化学机械平坦化CMP工艺应用到所述第一金属层的所述顶表面。

4.根据权利要求1所述的方法，还包含：

在形成所述第一材料之前，将第一平坦化工艺应用到所述介电材料的顶表面和所述通孔的顶表面，其中在所述第一平坦化工艺之后，所述通孔的所述顶表面在所述介电材料的所述顶表面上方突出第一高度。

5.根据权利要求4所述的方法，其中：

所述第一平坦化工艺以第一速率去除包括在所述通孔中的材料；并且

所述第一平坦化工艺以比所述第一速率更快的第二速率去除所述介电材料。

6.根据权利要求5所述的方法，其中：

将所述第一平坦化工艺应用到包括在用于所述存储器阵列的所述一组材料中的第二介电材料的顶表面；并且

所述第一平坦化工艺以比所述第一速率更快的第三速率去除所述第二介电材料。

7.根据权利要求4所述的方法，还包含：

在应用所述第一平坦化工艺之前，使用蚀刻工艺去除所述介电材料的一部分，其中在所述蚀刻工艺之后，所述通孔的所述顶表面在所述介电材料的所述顶表面上方突出第二高度，并且其中所述第二高度小于所述第一高度。

8.根据权利要求4所述的方法，还包含：

在应用所述第一平坦化工艺之前，将第二平坦化工艺应用到所述介电材料的所述顶表面和所述通孔的所述顶表面，其中在所述第二平坦化工艺之后，所述通孔的所述顶表面在所述介电材料的所述顶表面上方突出第三高度，并且其中所述第三高度小于所述第一高度。

9.根据权利要求1所述的方法，其中：

在形成所述第一材料之前，所述通孔从所述介电材料突出第一高度；并且

所述第一材料形成为具有小于所述第一高度的厚度。

10.根据权利要求1所述的方法，其中在所述平坦化之后，所述第一材料和所述第一金属层保持在用于所述存储器阵列的所述一组材料上方。

11.根据权利要求1所述的方法，其中在所述平坦化之后，所述第一材料保持在所述通孔的侧壁上。

12.根据权利要求1所述的方法，其中在所述平坦化之后，所述第一金属层的所述顶表面与所述通孔的顶表面齐平。

13.根据权利要求1所述的方法，其中在形成所述第二金属层之后，所述第二金属层与所述通孔的顶表面接触。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一材料具有比所述第一金属层和所述第二金属层更高的电阻率。

15.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第一材料包含氮化钨硅；并且

所述第一金属层和所述第二金属层均包含钨。