[发明专利]全差分运算放大器和全差分运算放大器电路在审
申请号: | 202110308302.5 | 申请日: | 2021-03-23 |
公开(公告)号: | CN115118237A | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
发明(设计)人: | 刘菁;满雪成 | 申请(专利权)人: | 圣邦微电子(北京)股份有限公司 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;刘静 |
地址: | 100089 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 全差分 运算放大器 电路 | ||
1.一种全差分运算放大器,包括:
差分输入对;
第一输出模块,具有提供第一输出电压的第一输出端口,该第一输出模块用于在所述全差分运算放大器的上电复位期间调节其自身导通状态,将所述第一输出电压钳位上拉到电源电压;
第二输出模块,具有提供第二输出电压的第二输出端口,该第二输出模块用于在所述全差分运算放大器的上电复位期间调节其自身导通状态,将所述第二输出电压钳位下拉到地电压。
2.根据权利要求1所述的全差分运算放大器,其中,还包括:
控制开关,连接在所述第一输出端口与所述第二输出端口之间,受共模建立信号的控制,在所述全差分运算放大器的共模复位建立结束后,将两个输出端口短接一小段时间。
3.根据权利要求1或2所述的全差分运算放大器,其中,所述差分输入对包括:
第一晶体管,所述第一晶体管的第一端通过第三晶体管连接在供电端,接入所述电源电压,第二端连接所述第一输出模块,控制端接入第一输入电压;
第二晶体管,所述第二晶体管的第一端与所述第一晶体管的第一端共连,第二端连接所述第二输出模块,控制端接入第二输入电压。
4.根据权利要求3所述的全差分运算放大器,其中,所述第一输出模块包括:
串联连接在供电端与所述第一输出端口之间的第四晶体管和第六晶体管,所述第四晶体管的控制端与所述第三晶体管的控制端连接,共同接入第一偏置电压;
串联连接在供电端与所述第二输出端口之间的第五晶体管和第七晶体管,所述第五晶体管的控制端通过时序控制间歇连通所述第四晶体管的控制端,所述第七晶体管的控制端与所述第六晶体管的控制端连接,共同接入第二偏置电压。
5.根据权利要求4所述的全差分运算放大器,其中,所述第二输出模块包括:
串联连接在所述第一输出端口与地之间的第八晶体管和第十晶体管,所述第八晶体管和所述第六晶体管连接且二者的连接节点作为所述第一输出端口,用以提供所述第一输出电压,所述第八晶体管和所述第十晶体管的连接节点连接在所述第一晶体管的第二端;
串联连接在所述第二输出端口与地之间的第九晶体管和第十一晶体管,所述第九晶体管和所述第七晶体管连接且二者的连接节点作为所述第二输出端口,用以提供所述第二输出电压,所述第九晶体管的控制端和所述第八晶体管的控制端连接,共同接入第三偏置电压,所述第十一晶体管的控制端通过时序控制间歇连通所述第十晶体管的控制端,共同接入第四偏置电压,并且所述第九晶体管和所述第十一晶体管的连接节点连接在所述第二晶体管的第二端。
6.根据权利要求5所述的全差分运算放大器,其中,所述第一输出模块还包括:
第一开关管,连接在所述第四晶体管的控制端和所述第五晶体管的控制端之间;
第二开关管,连接在所述第五晶体管的控制端与其自身的第二端之间。
7.根据权利要求6所述的全差分运算放大器,其中,所述第二输出模块还包括:
第三开关管,连接在所述第十晶体管的控制端和所述第十一晶体管的控制端之间;
第四开关管,连接在所述第十晶体管的控制端与其自身的第一端之间。
8.根据权利要求7所述的全差分运算放大器,其中,所述第一开关管和所述第四开关管受控于第一控制信号,
所述第二开关管和所述第三开关管受控于第二控制信号,
且所述第一控制信号与所述第二控制信号为互为反相的信号。
9.根据权利要求8所述的全差分运算放大器,其中,所述第一开关管和第二开关管均为N型场效应晶体管器件,
且所述第三开关管和第四开关管均为P型场效应晶体管器件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于圣邦微电子(北京)股份有限公司,未经圣邦微电子(北京)股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110308302.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。