[发明专利]一种含硼螺环化合物及有机电致发光器件

说明书

本发明涉及电子材料技术领域，具体涉及一种含硼螺环化合物及有机电致发光器件。本发明提供的含硼螺环化合物，具有如式Ⅰ所示的结构，本发明提供的含硼螺环化合物，有效改善了硼氮稠环刚性平面结构导致的聚集诱导荧光淬灭效应和聚集导致半峰宽变宽的不足，降低了半峰宽，使得在掺杂比例提高过程中，器件的发光性能和色纯度不仅没有降低而且还得到一定提高。

技术领域

本发明涉及电子材料技术领域，具体涉及一种含硼螺环化合物及有机电致发光器件。

背景技术

有机电致发光二极管(OLED)自1987年被C.W.Tang和S.A.VanSlyke等首次报道以来，受到广大科研工作者的青睐，展现出巨大的市场价值。

目前已经商业化的有机电致发光二极管尽管已经展现出诸多优点，然而当前的发光材料由于基态和激发态之间的振动耦合和激发态结构弛豫作用，导致其存在激发光谱宽(40nm)，从而导致该发光材料所制备器件的色纯度不高，无法满足人们对于高色纯度显示的要求。近年来受到广泛关注的热活化延迟荧光材料，不仅具备普通荧光材料和磷光材料的优越性，同时还避免了重金属参与的不足，但是这类材料大部分均采用D-A型结构，加剧了其振动耦合和结构弛豫效应，导致绝大多数该类材料半峰宽都大于70nm。

为了解决传统D-A型热活化荧光材料(TADF)半峰宽(FWHM)较大的问题，2016年，Hatakeyama等人首次提出一种硼/氮多重共振体系的新型热活化荧光材料，在硼/氮多重共振体系中，利用硼原子和氮原子交替分布在稠环体系中，导致最高占用轨道和最低未占用轨道电子云交替分布，有效的抑制了振动耦合和结构弛豫，从而获得极小的半峰宽。然而该硼/氮多重共振体系化合物具有较大的刚性平面结构，容易聚集，在制备电致发光器件时容易产生聚集诱导淬灭效应，且在掺杂比例较高的条件下，聚集会导致半峰宽变宽，从而使材料的发光性能和器件的色纯度变差。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明的目的在于克服现有D-A型热活化荧光材料中硼/氮多重共振体系的热活化荧光材料易聚集，在制备电致发光器件时容易产生聚集诱导淬灭效应，且在掺杂比例较高时，聚集会导致半峰宽变宽，从而使材料的发光性能和器件的色纯度变差的缺陷，从而提供一种含硼螺环化合物及有机电致发光器件。

本发明所采用的方案如下：

一种含硼螺环化合物，具有如下所示的结构：

其中，X₁、X₂相同或不同，分别独立的选自O、N-R、S、Se，R相同或不同，分别独立选自氢、重氢、氰基、卤素、硝基、氨基、取代或未取代C6-C30的芳基、取代或未取代C3-C30的杂芳基、取代或未取代C1-C36的烷基、取代或未取代C1-C36的烷氧基、取代或未取代的二芳基氨基、取代或未取代的二杂芳基氨基、取代或未取代的芳基杂芳基氨基；

R₁-R₂₈相同或不同，分别独立选自氢、重氢、卤素、氰基、硝基、氨基、取代或未取代C1-C36的烷基、取代或未取代C6-C30的芳基、取代或未取代C3-C30的杂芳基、取代或未取代的C1-C36烷氧基、取代或未取代的二芳基氨基、取代或未取代的二杂芳基氨基、取代或未取代的芳基杂芳基氨基；

或R、R₁-R₂₈中相邻两者之间彼此连接构成取代或未取代C6-C30芳基、取代或未取代C3-C30的杂芳基。

优选的，R₁-R₈、R₁₆-R₂₀、R₂₈相同或不同，分别独立选自氢、取代或未取代C1-C36的烷基、取代或未取代C6-C30的芳基；