[发明专利]一种偏振可调控的太赫兹发生器

权利要求书

1.一种偏振可调控的太赫兹发生器，其特征在于，包括太赫兹核心发生器和外加旋转磁场发生器；

所述太赫兹核心发生器包括：

衬底；

位于所述衬底第一表面的磁性多层膜；所述磁性多层膜的各膜层沿垂直于所述第一表面的方向依次堆叠，形成自旋太赫兹源；

位于所述衬底与所述第一表面相对设置的第二表面的偏转多层膜；所述偏转多层膜包括第一线栅和第二线栅，所述第一线栅与所述第二线栅沿垂直于所述第二表面的方向依次堆叠，所述第一线栅的轴线与所述第二线栅的轴线夹角呈45°，形成太赫兹四分之一波片；

所述外加旋转磁场发生器由于产生可旋转的外加磁场，所述外加磁场沿所述磁性多层膜的各膜层表面穿过所述磁性多层膜；所述外加磁场的旋转方向平行于所述衬底的第一表面。

2.根据权利要求1所述的偏振可调控的太赫兹发生器，其特征在于，所述偏转多层膜包括：

位于所述衬底第二表面的第一隔离层；

位于所述第一隔离层背向所述衬底一侧表面的所述第一线栅；

位于所述第一线栅背向所述衬底一侧表面的第二隔离层；

位于所述第二隔离层背向所述衬底一侧表面的所述第二线栅；

位于所述第二线栅背向所述衬底一侧表面的第三隔离层。

3.根据权利要求2所述的偏振可调控的太赫兹发生器，其特征在于，所述第一隔离层、所述第二隔离层以及所述第三隔离层均为PI膜。

4.根据权利要求3所述的偏振可调控的太赫兹发生器，其特征在于，所述第一线栅和所述第二线栅均为金属线栅。

5.根据权利要求1所述的偏振可调控的太赫兹发生器，其特征在于，所述磁性多层膜包括至少一层线偏振太赫兹发生单元，所述线偏振太赫兹发生单元包括介质层、第一非磁性层、磁性层和第二非磁性层；所述介质层位于所述线偏振太赫兹发生单元背向所述衬底一侧。

6.根据权利要求5所述的偏振可调控的太赫兹发生器，其特征在于，所述第一非磁性层为Pt或W；所述第二非磁性层为Pt或W；所述磁性层为Fe。

7.根据权利要求6所述的偏振可调控的太赫兹发生器，其特征在于，所述第一非磁性层厚度的取值范围为1nm至5nm，包括端点值；所述第二非磁性层厚度的取值范围为1nm至5nm，包括端点值；所述磁性层厚度的取值范围为1nm至5nm，包括端点值；所述介质层厚度的取值范围为1nm至1000nm，包括端点值。

8.根据权利要求5所述的偏振可调控的太赫兹发生器，其特征在于，所述磁性多层膜包括多层所述线偏振太赫兹发生单元，多层所述线偏振太赫兹发生单元沿垂直于所述第一表面的方向依次堆叠。

9.根据权利要求1所述的偏振可调控的太赫兹发生器，其特征在于，所述外加旋转磁场发生器为设置于旋转架的一对磁铁块或四极电磁铁。

10.根据权利要求1所述的偏振可调控的太赫兹发生器，其特征在于，所述衬底为MgO衬底。