[发明专利]转接板堆叠模组、三维模组和堆叠工艺

权利要求书

1.一种转接板堆叠模组，其特征在于，包括底座晶圆和盖帽晶圆；

底座晶圆的第一表面设有RDL和焊盘以及与焊盘连接的焊球；底座晶圆的第二表面设有空腔，在底座晶圆的第二表面和空腔中设有RDL和焊盘；芯片置于底座晶圆的空腔中并与底座晶圆空腔底部的焊盘连接，再通过底座晶圆中设置的TSV导电柱与底座晶圆第一表面的RDL连接；底座晶圆中还设有连通其第一表面和第二表面的RDL的TSV导电孔；

盖帽晶圆的第一表面和第二表面均设有RDL和焊盘；在盖帽晶圆的第一表面设有与底座晶圆第二表面空腔相对应的空腔；盖帽晶圆中还设有连通其第一表面和第二表面的RDL的TSV导电孔；盖帽晶圆中的TSV导电孔与底座晶圆中的TSV导电孔相对应；

盖帽晶圆和底座晶圆对位键合堆叠，两者的空腔共同形成元件容置腔，两者的TSV导电孔对位连接，实现盖帽晶圆的第一表面和第二表面的RDL，以及底座晶圆的第一表面和第二表面的RDL互联。

2.如权利要求1所述的转接板堆叠模组，其特征在于，

在底座晶圆第二表面的空腔中，芯片通过打线或表面贴装工艺与底座晶圆空腔底部的焊盘连接。

3.如权利要求1所述的转接板堆叠模组，其特征在于，

底座晶圆的空腔和TSV导电柱位于其中间区域，底座晶圆的TSV导电孔位于其边缘区域；相应地，盖帽晶圆的空腔位于其中间区域，盖帽晶圆的TSV导电孔位于其边缘区域。

4.一种转接板堆叠三维模组，其特征在于，包括数个如权利要求1、2或3所述的转接板堆叠模组；

数个转接板堆叠模组堆叠连接形成转接板堆叠三维模组；其中上层的转接板堆叠模组底部的焊球与其下层的转接板堆叠模组顶部的焊盘连接。

5.一种转接板堆叠工艺，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1，在底座晶圆的第一表面制作TSV导电柱和TSV导电孔；底座晶圆的TSV导电柱短于其TSV导电孔；再在底座晶圆的第一表面制作与其TSV导电柱一端和TSV导电孔一端连接的RDL和焊盘；

步骤S2，在底座晶圆的第一表面临时键合载片，在底座晶圆的第二表面减薄，干法刻蚀，沉积钝化层，CMP抛光使得底座晶圆的TSV导电孔另一端露出；

步骤S3，在底座晶圆的第二表面刻蚀空腔，干法刻蚀使得底座晶圆空腔底部的TSV导电柱另一端和其上方剩余的晶圆材料露出；对底座晶圆第二表面沉积钝化层，通过光刻和干法刻蚀工艺使得底座晶圆TSV导电柱另一端金属在空腔中露出；

步骤S4，在底座晶圆的第二表面和空腔底部制作RDL和焊盘，然后在底座晶圆的空腔底部嵌入芯片后使芯片连接底座晶圆空腔底部的焊盘；

步骤S5，在盖帽晶圆的第二表面制作与底座晶圆导电孔对应的导电孔，并在盖帽晶圆的第二表面制作与其导电孔一端连接的RDL和焊盘；

步骤S6，在盖帽晶圆的第二表面临时键合载片，在盖帽晶圆的第一表面减薄，干法刻蚀，沉积钝化层，CMP抛光使得盖帽晶圆的TSV导电孔另一端露出；在盖帽晶圆的第一表面制作与其TSV导电孔另一端连接的RDL和焊盘；

步骤S7，在盖帽晶圆的第一表面制作与底座晶圆空腔相对应的空腔；

步骤S8，将盖帽晶圆和底座晶圆对位键合堆叠，两者的空腔共同形成元件容置腔，两者的TSV导电孔对位连接，实现盖帽晶圆的第一表面和第二表面的RDL，以及底座晶圆的第一表面和第二表面的RDL互联；然后在底座晶圆的第一表面即模组底部植焊球。