[发明专利]一种具有双量子阱臂结构电子阻挡层的LED

权利要求书

1.一种具有双量子阱臂结构电子阻挡层的LED，其特征在于，包括衬底(1)、GaN缓冲层(2)、未掺杂GaN层(3)、n型GaN层(4)、多量子阱发光层(5)、电子阻挡层(6)与p型GaN层(7)，所述GaN缓冲层(2)、未掺杂GaN层(3)、n型GaN层(4)、多量子阱发光层(5)、电子阻挡层(6)与p型GaN层(7)依次生长在衬底(1)上，所述电子阻挡层(6)为双量子阱臂结构，所述电子阻挡层(6)自下而上依次包括Al_xGa_1-xN势垒层(61)、Al_yGa_1-yN量子阱层(62)、Al_xGa_1-xN势垒层(63)、GaN势阱层(64)、Al_xGa_1-xN势垒层(65)、Al_zGa_1-zN量子阱层(66)与AlxGa_1-xN势垒层(67)，所述Al_xGa_1-xN势垒层(61)、Al_yGa_1-yN量子阱层(62)、AlxGa_1-xN势垒层(63)构成第一量子阱臂，所述Al_xGa_1-xN势垒层(65)、Al_zGa_1-zN量子阱层(66)与Al_xGa_1-xN势垒层(67)构成第二量子阱臂，所述第一量子阱臂、第二量子阱臂与GaN势阱层(64)构成三明治结构。

2.根据权利要求1所述的一种具有双量子阱臂结构电子阻挡层的LED，其特征在于，所述第一量子阱臂中的Al_yGa_1-yN量子阱层(62)和第二量子阱臂中的Al_zGa_1-zN量子阱层(66)厚度均小于3nm；所述GaN势阱层(64)的厚度大于5nm；所述第一量子阱臂层的厚度等于第二量子阱臂层的厚度；所述Al_xGa_1-xN势垒层(61)、Al_xGa_1-xN势垒层(63)、Al_xGa_1-xN势垒层(65)、Al_xGa_1-xN势垒层(67)厚度相同；所述Al_yGa_1-yN量子阱层(62)的厚度等于AlzGa_1-zN量子阱层(66)的厚度且均小于其自身两侧的势垒层的厚度。

3.根据权利要求1所述的一种具有双量子阱臂结构电子阻挡层的LED，其特征在于，所述Al_xGa_1-xN势垒层(61)、Al_yGa_1-yN量子阱层(62)、Al_zGa_1-zN量子阱层(66)中的Al组分满足1≥x＞z≥0、1≥x＞y≥0。

4.根据权利要求1所述的一种具有双量子阱臂结构电子阻挡层的LED，其特征在于，所述衬底(1)为蓝宝石纳米图形化衬底材料，所述衬底(1)的厚度为100μm。

5.根据权利要求1所述的一种具有双量子阱臂结构电子阻挡层的LED，其特征在于，所述GaN缓冲层(2)为低温外延的本征GaN材料，所述GaN缓冲层(2)的厚度为20～40nm。

6.根据权利要求1所述的一种具有双量子阱臂结构电子阻挡层的LED，其特征在于，所述未掺杂GaN层(3)为非掺杂本征GaN材料，所述未掺杂GaN层(3)的厚度为0.4～1.0um。

7.根据权利要求1所述的一种具有双量子阱臂结构电子阻挡层的LED，其特征在于，所述n型GaN层(4)为n型掺杂GaN材料，所述n型GaN层(4)的厚度为2～3um。