[发明专利]一种TSV结构及TSV电镀工艺

权利要求书

1.一种TSV结构，包括硅片（101），其特征在于，所述硅片（101）上设置有通孔，所述通孔内电镀填充有TSV金属（108），所述TSV金属（108）露头部分与硅片（101）的上表面和下表面齐平，所述硅片（101）的表面沉积有钝化层（103），所述硅片（101）两侧的钝化层（103）上设置有种子层（104），所述钝化层（103）为绝缘层或氧化层。

2.根据权利要求1所述的TSV结构，其特征在于，所述钝化层（103）为氧化硅或者氮化硅，厚度为10-100000 nm。

3.一种TSV电镀工艺，其特征在于，包括以下步骤：

A：在硅片（101）表面制作TSV盲孔（102），在硅片（101）表面沉积钝化层（103）；

B：在硅片（101）上表面的钝化层（103）上沉积种子层（104），把带有TSV盲孔（102）的硅片（101）与带有种子层（104）的载片（105）键合，在TSV盲孔（102）中电镀TSV金属（108）；

C：减薄TSV盲孔（102）开口端种子层（104），去除载片（105），抛光使硅片表面种子层（104）去除，只留下TSV金属（108），去除边缘金属，最终得到上下联通的TSV结构。

4.根据权利要求3所述的TSV电镀工艺，其特征在于，步骤A中在硅片（101）表面沉积钝化层（103）后，减薄硅片（101）背面，使TSV盲孔（102）露出，在硅片（101）背面沉积钝化层（103）。

5.根据权利要求3所述的TSV电镀工艺，其特征在于，步骤B中所述硅片（101）的上表面与带有种子层（104）的载片（105）键合，其后减薄硅片（101）背面，使TSV盲孔（102）露出，在硅片（101）背面沉积钝化层（103）后在硅片（101）的表面沉积种子层（104），并在TSV盲孔（102）中电镀TSV金属（108）。

6.根据权利要求3所述的TSV电镀工艺，其特征在于，步骤B中所述TSV盲孔（102）所在区域的硅片（101）侧壁和开口区域为钝化层（103）。

7.根据权利要求3所述的TSV电镀工艺，其特征在于，所述TSV盲孔（102）的直径为1-1000 μm，深度为10-1000 μm。

8.根据权利要求3所述的TSV电镀工艺，其特征在于，所述硅片（101）和/或载片（105）为无机材料或有机材料，厚度为200-2000 μm，所述无机材料为晶圆、玻璃、石英、碳化硅或氧化铝，所述有机材料为环氧树脂或聚氨酯。

9.根据权利要求3所述的TSV电镀工艺，其特征在于，所述种子层（104）是一层或多层金属层，厚度为1 -100000 nm，金属材质是钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡或镍中的一种或多种。

10.根据权利要求3所述的TSV电镀工艺，其特征在于，所述种子层（104）通过物理溅射、磁控溅射或蒸镀工艺沉积在钝化层（103）上。