[发明专利]一种低频吸波体

说明书

本发明公开一种低频吸波体，包括背板、设置于背板表面的第一吸波材料层、设置于第一吸波材料层表面的第一电阻膜图案、设置于第一电阻膜图案表面的第二吸波材料层和设置于第二吸波材料层表面的第二电阻膜图案，第一电阻膜图案和第二电阻膜图案均为弯折结构的电阻膜图案，第一电阻膜图案和第二电阻膜图案在厚度方向上形状互补。本发明的低频吸波体能够工作在300MHz～3GHz频段内，并且吸波效果较好。

技术领域

本发明属于隐身技术领域，尤其涉及一种低频吸波体。

背景技术

近年来，电磁吸波技术飞速发展，无论是在军用领域还是民用领域都受到了广泛的研究。然而，绝大部分吸波体的研究工作都集中在火控雷达频率范围(即8～18GHz频段)，对于低频吸波体的研究较少。由于目前远程预警雷达的工作频段主要是P波段，所以设计制造低频吸波体对于提高反探测能力具有重要意义。目前需要一种能够工作在300MHz～3GHz频段内的吸波体，以进一步提高反探测能力。

发明内容

为解决现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种低频吸波体，本发明的低频吸波体能够工作在300MHz～3GHz频段内，并且吸波效果较好。

本发明采用的技术方案如下：

一种低频吸波体，包括背板、设置于背板表面的第一吸波材料层、设置于第一吸波材料层表面的第一电阻膜图案、设置于第一电阻膜图案表面的第二吸波材料层和设置于第二吸波材料层表面的第二电阻膜图案，第一电阻膜图案和第二电阻膜图案均为弯折结构的电阻膜图案，第一电阻膜图案和第二电阻膜图案在厚度方向上形状互补。

优选的，第一电阻膜图案和第二电阻膜图案均为旋转对称的图案，旋转角为90°；背板、第一吸波材料层和第二吸波材料层的形状均为正方形，背板、第一吸波材料层和第二吸波材料层的边长相同。

优选的，第二电阻膜图案包括位于中心的正方形电阻膜区域以及四个结构相同的图案单元，第二吸波材料层的每个角对应一个图案单元，每个图案单元包括第一电阻膜线、若干L形电阻膜线以及正方形电阻膜区域从一个顶点处伸至第二吸波材料层边部的第二电阻膜线；

四个结构相同的图案单元按顺序依次记为第一图案单元、第一图案单元和第一图案单元、第一图案单元，其中，第一图案单元对应的第二吸波材料层上对应角的两个边分别为第一边和第二边，第一图案单元的第二电阻膜线延伸至第一边并与第一边垂直，第二图案单元的第二电阻膜线延伸至第二边并与第二边垂直；第一图案单元的L形电阻膜线的一条边与第一图案单元的第二电阻膜线平行，第一图案单元的L形电阻膜线的另一条边与第二图案单元的第二电阻膜线平行；第一图案单元的第一电阻膜线的两端延伸至第二边，第一图案单元的第一电阻膜线的其余部分围成一L形区域，该L形区域的一条边与第一图案单元的第二电阻膜线平行，该L形区域的另一条边与第二边垂直。

优选的，所述第二电阻膜线与L形电阻膜线之间的间距、L形电阻膜线与L形电阻膜线之间的间距、L形电阻膜线与第一电阻膜线之间的间距以及所述L形区域各边的宽度相同。

优选的，正方形电阻膜区域的边长为3×w+2×g，其中，w为第二电阻膜线、L形电阻膜线以及第一电阻膜线的线宽，g为第二电阻膜线与L形电阻膜线之间的间距。

优选的，背板、第一吸波材料层和第二吸波材料层的边长为299.2±23.2mm，第二电阻膜线与L形电阻膜线之间的间距为23.9±2mm，第二电阻膜线、L形电阻膜线以及第一电阻膜线的线宽为3.3±2.1mm，第一吸波材料层和第二吸波材料层的厚度相同，第一吸波材料层和第二吸波材料层总厚度为3±0.2mm。

优选的，第二电阻膜线、L形电阻膜线以及第一电阻膜线的线宽w、第二电阻膜线与L形电阻膜线之间的间距g以及背板、第一吸波材料层和第二吸波材料层的边长p满足以下关系：背板、第一吸波材料层和第二吸波材料层的边长为p×k时，第二电阻膜线、L形电阻膜线以及第一电阻膜线的线宽为w×k，第二电阻膜线与L形电阻膜线之间的间距为g×k，其中，k取值为0.1-3。