[发明专利]一种杂散电容及功率半导体器件电流的计算方法

权利要求书

1.一种杂散电容计算方法，其特征在于，应用于功率半导体器件的动态参数测试电路，所述测试电路用于连接所述功率半导体器件以对所述器件进行测试，所述方法包括：

获取所述功率半导体器件在瞬态开通过程中的电流及瞬态关断过程中的电压；

基于所述功率半导体器件在瞬态开通过程中的电流及瞬态关断过程中的电压，得到所述功率半导体器件的电流在瞬态开通过程中的电流变化曲线和所述功率半导体器件的电压在瞬态关断过程中的电压变化曲线；

利用所述电流变化曲线、所述电压变化曲线和杂散电容瞬时表达式，确定所述测试电路中的杂散电容与电压的关系；

获取所述功率半导体器件在瞬态关断过程中当前时刻对应的电压值，基于所述电压值和所述杂散电容与电压的关系，确定所述测试电路在当前时刻的当前杂散电容值。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用所述电流变化曲线、所述电压变化曲线和杂散电容瞬时表达式，确定所述测试电路中的杂散电容与电压的关系，包括：

利用所述电流变化曲线和所述电压变化曲线，确定所述功率半导体器件在瞬态开通过程中开始时刻与结束时刻的电流差值；

根据所述电流差值及杂散电容瞬时表达式，确定所述测试电路中的杂散电容与电压的关系。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过以下公式表示所述测试电路中的杂散电容与电压的关系：

其中，C_σ(V_DS)表示电压为V_DS时的杂散电容值，i_d(t₀)表示所述功率半导体器件在开始时刻t₀的电流值，t(V_DS)＝f(V_DS)，t(V_DS)表示电压为V_DS的对应的结束时刻，f(V_DS)表示所述电压变化曲线，i_d(t(V_DS))表示在所述功率半导体器件的电压为V_DS对应的结束时刻的电流值，表示u_ds(t)＝V_DS电压下的电压变化率。

4.一种功率半导体器件的电流计算方法，其特征在于，包括：

获取所述功率半导体器件在瞬态关断过程中当前时刻对应的电压值；

基于所述电压值，利用如权利要求1-3任一项所述的杂散电容计算方法，确定所述功率半导体器件的动态参数测试电路在电压在当前时刻的当前杂散电容值；

根据所述电压值和所述当前杂散电容值，计算所述功率半导体器件在当前时刻杂散电容的电流值；

获取所述功率半导体器件在瞬态开通过程中当前时刻对应的电流值；

利用所述杂散电容的电流值对所述电流值进行校正。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，通过以下公式计算所述功率半导体器件在当前时刻杂散电容的电流值：

其中，表示所述功率半导体器件在当前时刻杂散电容引起的电流值，C_σ(u_ds(t))表示电压为u_ds(t)对应的当前时刻的杂散电容值，表示电压变化率，t₂tt₃表示所述功率半导体器件开通过程中t₂～t₃阶段。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，通过以下公式对所述电流值进行校正：

其中，i_{d_校正}(t)表示当前时刻校正后的电流，i_d(t)表示所述功率半导体器件在在瞬态开通过程中当前时刻的电流值，C_σ(u_ds(t))表示电压为u_ds(t)对应的当前时刻的杂散电容值，表示电压变化率，t₂tt₃表示所述功率半导体器件开通过程中t₂～t₃阶段。