[发明专利]晶圆制备方法、键合方法、键合装置、键合设备

说明书

本申请提供了晶圆制备方法、键合方法、键合装置、键合设备。其中，晶圆制备方法通过在衬底上依次形成覆盖衬底的功能层、覆盖功能层的连接层、及覆盖连接层的互联层，连接层与功能层通过将第二标识正对应第一标识进行对准，互联层与连接层通过将第四标识正对应第三标识进行对准，以使功能层、连接层、互联层相互对准。因此，该晶圆可以直接通过互联层上的第五标识正对应其他晶圆的对准标识，使得该晶圆直接对准其他晶圆，有利于减小不同晶圆的形变差异导致的对准偏差，提高了不同晶圆间的对准精度，从而提供了一种晶圆键合方法、键合装置、键合设备。

技术领域

本申请属于半导体技术领域，具体涉及晶圆制备方法、键合方法、键合装置、键合设备。

背景技术

随着电子设备的不断发展，由于电子设备的便携性、以及丰富多样的操作性，现已备受广大用户的喜爱。但同时用户对电子设备的期望值与要求也越来越高，大大提升了对半导体芯片的需求。在半导体制造过程中，由于半导体芯片的集成度越来越高，关键尺寸越做越小，统一的晶圆对半导体器件的制造越来越重要。例如，在晶圆在制程加工过程中，晶圆受到诸多表面薄膜以及热处理的影响，会积累大量的应力，应力使得晶圆发生一定程度的弯曲和膨胀，导致不同晶圆在对准的过程中，出现较大程度上的尺寸偏差。

发明内容

鉴于此，本申请第一方面提供了一种晶圆制备方法，包括：

提供衬底；

形成覆盖所述衬底的功能层，所述功能层具有第一标识；

形成覆盖所述功能层的连接层，所述连接层具有间隔设置的第二标识与第三标识，所述第二标识正对应所述第一标识；以及

形成覆盖所述连接层的互联层，所述互联层具有间隔设置的第四标识与第五标识，所述第四标识正对应所述第三标识。

本申请第一方面提供的晶圆制备方法，在衬底上依次形成覆盖衬底的功能层、覆盖功能层的连接层、及覆盖连接层的互联层，连接层与功能层通过将第二标识正对应第一标识进行对准，互联层与连接层通过将第四标识正对应第三标识进行对准，以使功能层、连接层、互联层相互对准。因此，该晶圆可以直接通过互联层上的第五标识正对应其他晶圆的对准标识，使得该晶圆直接对准其他晶圆，有利于减小不同晶圆的形变差异导致的对准偏差，提高了不同晶圆间的对准精度。

其中，“形成覆盖所述连接层的互联层，所述互联层具有间隔设置的第四标识与第五标识，所述第四标识正对应所述第三标识”包括：

形成覆盖所述连接层的互联层，所述互联层具有间隔设置的第四标识与第五标识，所述第四标识正对应所述第三标识；其中，所述第四标识至所述第五标识的距离与所述第二标识至所述第三标识的距离相等。

本申请第二方面提供了一种晶圆键合方法，包括：

提供第二晶圆；其中，所述第二晶圆具有第五预设标识；

提供第一衬底，形成覆盖所述第一衬底的第一功能层，所述第一功能层具有第一标识；

形成覆盖所述第一功能层的第一连接层，所述第一连接层具有间隔设置的第二标识与第三标识，所述第二标识正对应所述第一标识；

形成覆盖所述第一连接层的第一互联层以形成第一晶圆，所述第一互联层具有间隔设置的第四标识与第五标识，所述第四标识正对应所述第三标识；以及

将所述第一互联层的表面与所述第二晶圆的靠近所述第一互联层一侧的表面抵接，并使所述第五标识正对应所述第五预设标识。