[发明专利]采样开关、应用其的信号采样放大电路及控制方法

权利要求书

1.一种采样开关，其特征在于，包括：

衬底；

栅极，形成于所述衬底的上表面；

源极，形成于所述衬底内，位于所述栅极的一侧；

漏极，形成于所述衬底内，位于所述栅极相对于所述源极的另一侧；

沟道区域，形成于正对所述栅极的所述衬底内，位于所述源极和所述漏极之间；

梯度掺杂注入层，形成于所述源极上，由所述源极的远离所述栅极的边界延伸至所述沟道区域上；

阈值调整注入层，形成于所述梯度掺杂注入层的上表面，从所述源极远离所述栅极的边界延伸至所述漏极远离所述栅极的边界。

2.如权利要求1所述的采样开关，其特征在于，还包括：

源极浅槽隔离区，形成于所述衬底内，与所述源极间隔设置；

漏极浅槽隔离区，形成于所述衬底内，与所述漏极毗邻。

3.如权利要求1所述的采样开关，其特征在于，

所述梯度掺杂注入层从所述源极靠近所述栅极一侧的边界延伸至所述沟道区域的长度占所述沟道区域长度的范围包括5％至95％。

4.如权利要求1所述的采样开关，其特征在于，

所述梯度掺杂注入层包括通过离子注入方式注入的P型掺杂；

其中，所述P型掺杂包括以下至少之一：硼、二氟化硼；

所述阈值调整注入层包括通过离子注入方式注入的P型掺杂；

其中，所述P型掺杂包括以下至少之一：硼、二氟化硼。

5.如权利要求1所述的采样开关，其特征在于，

所述源极包括通过离子注入方式注入的N型掺杂；

其中，所述N型掺杂包括以下至少之一：砷、磷；

所述漏极包括通过离子注入方式注入的N型掺杂；

其中，所述N型掺杂包括以下至少之一：砷、磷。

6.一种采样开关，其特征在于，包括开关晶体管管体；其中，

在所述开关晶体管管体中的沟道区域设置有梯度掺杂注入层和阈值调整注入层，所述阈值调整注入层位于所述梯度掺杂注入层的上方，所述梯度掺杂注入层和所述阈值调整注入层均向左延伸至邻接所述沟道区域左侧的源极内部，所述阈值调整注入层向右延伸至邻接所述沟道区域右侧的漏极内部。

7.根据权利要求6所述的采样开关，其特征在于，所述开关晶体管管体包括源极和漏极；

所述梯度掺杂注入层和所述阈值调整注入层均通过离子注入方式注入包括硼和/或二氟化硼的P型掺杂材料；

所述源极和所述漏极均通过离子注入方式注入包括砷和/或磷的N型掺杂材料。

8.一种信号采样放大电路，其特征在于，包括：

采样电容控制电路，包括如权利要求1至5任一项所述的采样开关和如权利要求6或7所述的采样开关；如权利要求1至5任一项所述的采样开关作为第一采样开关，如权利要求6或7所述的采样开关作为第二采样开关；

第一采样电容，所述第一采样电容的输入端与所述采样电容控制电路的输出端连接；

积分放大电路，包括并联的信号放大器和第二采样电容；所述信号放大器的反向输入端作为所述积分放大电路的输入端与所述第一采样电容的输出端连接；所述积分放大电路的输出端作为所述信号采样放大电路的输出端；

控制开关，与所述积分放大电路并联。

9.根据权利要求8所述的电路，其特征在于，

所述第一采样开关的漏极接模拟电压输入信号；

所述第一采样开关的源极与所述第二采样开关的源极连接后，作为所述采样电容控制电路的输出端，与所述第一采样电容的输入端连接；

所述第一采样电容为金属-绝缘体-金属电容或多晶硅-绝缘层-多晶硅电容；

所述第二采样电容为金属-绝缘体-金属电容或多晶硅-绝缘层-多晶硅电容；

所述信号放大器包括金属-氧化物半导体场效应晶体管。

10.一种信号采样放大控制方法，应用于如权利要求8至9任一项所述的信号采样放大电路，其特征在于，包括：

将第一采样开关和控制开关导通，将第二采样开关断开，以使所述信号采样放大电路处于采样周期；以及

将所述第二采样开关导通，将所述第一采样开关和所述控制开关断开，以使所述信号采样放大电路处于放大周期。