[发明专利]一种用于驱动交流电机智能调速的集成芯片电路

说明书

本发明公开了一种用于驱动交流电机智能调速的集成芯片电路，由二极管D1、二极管D2、MOS管Q1、MOS管Q2、电机M1、二极管D3、二极管D4和MOS管Q4组成，所述二极管D1的阴极连接电机M1、MOS管Q1的漏极和交流电L，二极管D1的阳极连接二极管D2的阳极、MOS管Q1的源极、MOS管Q2的源极和接地端AGND，MOS管Q1的栅极连接MOS管Q2的栅极和控制器Driver1，本发明电路交流正负半波周期为连续调制电路架构,没有正负半波切换时断点突波问题,不需要像H桥电路架构零点侦测和换相调制,有效解决换相突波及噪音问题。电机内线圈电感反电动势效应也透过Q1,Q2,瞬间短路电路吸收机制,改善MOSFET管Q3,Q4发热问题。

技术领域

本发明涉及电机控制技术领域，具体是一种用于驱动交流电机智能调速的集成芯片电路。

背景技术

变频驱动装置中，以频率调变为主要设计构思,此控制理论皆由交流转直流电，再由直流转为可改变频率的交流电并以此控制负载电机，导致习知变频驱动装置的电路面积较大且所需制造成本较高。因此，变频驱动装置仍有改进的空间。

例如专利号为CN202231665U的交流电机调速电路，其包括了交流电机、可控硅、取样电阻、过载保护模块、电机转速调整模块、控制芯片和直流电源，整个技术方案是利用控制芯片来调节可控硅的导通角，进而实现对交流电机的控制，这种方式很容易产生正负半波切换时断点突波问题。

还例如专利号为CN208890692U的交流电机调速电路，其利用双向可控硅以及单刀双掷开关进行电路的切换，实现点击的调节，这种方式虽然较为简单，但是存在较为严重的换相突波及噪音问题。

基于上述原因，需要提供一种能够解决正负半波切换时断点突波问题以及换相突波及噪音问题的交流电机调速电路。

发明内容

本发明的目的在于提供一种用于驱动交流电机智能调速的集成芯片电路，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种用于驱动交流电机智能调速的集成芯片电路，由二极管D1、二极管D2、 MOS管Q1、MOS管Q2、电机M1、二极管D3、二极管D4和MOS管Q4组成，所述二极管D1的阴极连接电机M1、MOS管Q1的漏极和交流电L，二极管D1的阳极连接二极管D2的阳极、MOS管Q1的源极、MOS管Q2的源极和接地端AGND，MOS 管Q1的栅极连接MOS管Q2的栅极和控制器Driver1，二极管D2的阴极连接电机M1的另一端、MOS管Q2的漏极、MOS管Q3的漏极和二极管D4的阴极，MOS 管Q3的源极连接二极管D3的阳极、二极管D4的阳极、MOS管Q4的源极和接地端BGND，MOS管Q3的栅极连接MOS管Q3的栅极和控制器Driver2，二极管D4 的阴极连接MOS管Q4的另一端和交流电N。

作为本发明的进一步技术方案：所述MOS管Q1和MOS管Q2联动。

作为本发明的进一步技术方案：所述MOS管Q3和MOS管Q4联动。

作为本发明的进一步技术方案：所述MOS管Q1、MOS管Q2均为P-MOS管。

作为本发明的进一步技术方案：所述MOS管Q3、MOS管Q4均为P-MOS管。

作为本发明的进一步技术方案：所述控制器Driver1为PWM控制器。

作为本发明的进一步技术方案：所述控制器Driver2为PWM控制器。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明电路交流正负半波周期为连续调制电路架构,没有正负半波切换时断点突波问题,不需要像H桥电路架构零点侦测和换相调制,有效解决换相突波及噪音问题。电机内线圈电感反电动势效应也透过Q1,Q2,瞬间短路电路吸收机制,改善MOSFET管Q3,Q4发热问题。

附图说明