[发明专利]一种带混合横向结构特征的薄膜体声波谐振器

权利要求书

1.一种带混合横向结构特征的薄膜体声波谐振器，其特征在于，该薄膜体声波谐振器包括：

衬底；

并排设置的复合下电极层和平坦化层，复合下电极层和平坦化层均位于所述衬底表面；且在所述衬底上与所述复合下电极层的下表面贴合的位置设置有横向空腔；所述复合下电极层包括第一金属和嵌入所述第一金属上表面的第二金属；

压电层，位于并排设置的复合下电极层和平坦化层表面；所述压电层包括非压电层和内外环绕所述非压电层设置的多晶压电层；所述非压电层为在非压电层种子层上生成AlN形成；

复合上电极层，位于所述压电层的表面；所述复合上电极层包括第三金属和嵌入所述第三金属下表面的第四金属；

所述第四金属和所述非压电层正对设置，所述第二金属位于所述非压电层的内部。

2.根据权利要求1所述的带混合横向结构特征的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述横向空腔位于所述非压电层内部。

3.根据权利要求1所述的带混合横向结构特征的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述非压电层的形状为圆环形或带有一定厚度的多边形，所述第二金属和第四金属也分别内嵌为圆环形或带有一定厚度的多边形。

4.根据权利要求1所述的带混合横向结构特征的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一金属、第二金属、第三金属和第四金属分别选自钨和钼中的任意一种，且第一金属和第二金属不同，第三金属和第四金属不同。

5.根据权利要求1所述的带混合横向结构特征的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电层材料选自氮化铝、氧化锌、钽酸锂、锆钛酸铅和铌酸锂中的一种或多种按任意配比组合，厚度为10nm-5000nm。

6.根据权利要求1所述的带混合横向结构特征的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述横向空腔的深度为0.5um-10um，横向尺寸为50um-500um。

7.根据权利要求1所述的带混合横向结构特征的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述复合下电极层和复合上电极层的厚度为10nm-2000nm，横向宽度为5um-500um，第二金属和第四金属的宽度为5um-50um。

8.根据权利要求1所述的带混合横向结构特征的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述衬底的晶圆材料为玻璃、硅、碳化硅、氮化硅和陶瓷中的一种或多种按任意配比组合。