[发明专利]三维存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种三维存储器件，其特征在于，包括：

衬底，包括台阶区；

堆叠结构，设置于衬底上，包括交替堆叠的栅极层和绝缘层，所述堆叠结构位于所述台阶区的部分包括多个台阶，所述台阶对应一个所述栅极层；

绝缘介质层，覆盖所述多个台阶；

多个虚拟沟道结构，所述虚拟沟道结构贯穿所述绝缘介质层和所述堆叠结构的位于所述台阶区的部分，所述虚拟沟道结构包括保护层，所述保护层的材料与所述绝缘介质层的材料不同，其中，所述保护层的刻蚀速率小于所述绝缘介质层的刻蚀速率；以及

多个导电柱，所述导电柱贯穿所述绝缘介质层且与对应所述台阶的所述栅极层电连接，其中，所述导电柱与相邻的所述虚拟沟道结构的保护层接触，且在垂直于所述堆叠结构的堆叠方向的平面内，所述导电柱的外周与所述虚拟沟道结构相接触的部位的长度占所述导电柱的外周长度的一半以上。

2.根据权利要求1所述的三维存储器件，其中，所述绝缘介质层相对于所述保护层具有大于10的蚀刻选择比。

3.根据权利要求1所述的三维存储器件，其中，所述导电柱的外周与所述虚拟沟道结构相接触的部位的长度占所述导电柱的外周长度的60％至80％。

4.根据权利要求1所述的三维存储器件，其中，至少一个所述虚拟沟道结构包括彼此间隔设置的多个子虚拟沟道结构，每一所述子虚拟沟道结构包括所述保护层；

在垂直于所述堆叠结构的堆叠方向的平面内，所述导电柱位于所述多个子虚拟沟道结构之间的间隔区域。

5.根据权利要求4所述的三维存储器件，其中，所述子虚拟沟道结构在垂直于所述堆叠结构的堆叠方向的平面内的投影具有凹字形、三角形或四边形。

6.根据权利要求4或5所述的三维存储器件，其中，所述虚拟沟道结构包括第一子虚拟沟道结构和第二子虚拟沟道结构，以及

其中，在垂直于所述堆叠结构的堆叠方向的平面内，所述第一子虚拟沟道结构和所述第二子虚拟沟道结构沿第一方向设置于所述导电柱的相对的两侧，且所述第一子虚拟沟道结构的保护层和所述第二子虚拟沟道结构的保护层均与所述导电柱接触。

7.根据权利要求6所述的三维存储器件，其中，所述虚拟沟道结构还包括第三子虚拟沟道结构，以及

其中，在垂直于所述堆叠结构的堆叠方向的平面内，所述第三子虚拟沟道结构沿不同于所述第一方向的第二方向设置于所述导电柱的一侧。

8.根据权利要求4所述的三维存储器件，其中，所述虚拟沟道结构包括第四子虚拟沟道结构；以及

其中，所述第四子虚拟沟道结构与所述导电柱之间具有间隔。

9.根据权利要求1所述的三维存储器件，其中，所述虚拟沟道结构还包括绝缘填充层，所述保护层围绕所述绝缘填充层。

10.根据权利要求1所述的三维存储器件，其中，所述保护层的材料为三氧化二钇或三氧化二铝。