[发明专利]磁阻式随机存取存储器结构

权利要求书

1.一种磁阻式随机存取存储器结构，其特征在于，包括：

基底；

多个磁阻式随机存取存储器单元，位于该基底上，其中该些磁阻式随机存取存储器单元位于存储器区中，该存储器区与逻辑区邻接；以及

超低介电系数层，覆盖在该些磁阻式随机存取存储器单元上，其中位于该存储器区与该逻辑区交界处的该超低介电系数层的表面具有凹痕。

2.根据权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器结构，其中位于该存储器区与字符线交界处的该超低介电系数层的表面具有该凹痕。

3.根据权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器结构，其中位于该凹痕外侧的该超低介电系数层的表面上还具有凸起部。

4.根据权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器结构，其中每个该磁阻式随机存取存储器单元包含：

下电极，位于该基底上方；

磁隧穿结叠层，位于该下电极层上方；以及

上电极层，位于该磁隧穿结叠层上方。

5.根据权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器结构，还包含间隔层，位于该些磁阻式随机存取存储器单元的侧壁上。

6.根据权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器结构，还包含原子层沉积层，位于该些磁阻式随机存取存储器单元之间与外侧，该超低介电系数层覆盖在该原子层沉积层上。

7.根据权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器结构，还包含氮掺杂碳化物层，形成在该超低介电系数层的表面并填满该凹痕。

8.根据权利要求7所述的磁阻式随机存取存储器结构，还包含导孔件，穿过该掺氮碳化硅层与该超低介电系数层电连接到该磁阻式随机存取存储器单元。

9.一种磁阻式随机存取存储器结构，包括：

基底；

多个磁阻式随机存取存储器单元，位于该基底上，其中该些磁阻式随机存取存储器单元位于存储器区中，该存储器区与逻辑区邻接；以及

超低介电系数层，覆盖在该些磁阻式随机存取存储器单元上，其中该超低介电系数层具有氟掺杂的表面部位，该超低介电系数层中的硅成分比例、氢成分比例以及碳成分比例从该超低介电系数层的表面往内部递增至其各自的水平后持平，该超低介电系数层中的氧成分比例从该超低介电系数层的表面往内部递减至一水平后持平，该超低介电系数层中的氟成分比例从该超低介电系数层的表面往内部递增直至一深度后开始递减至零。

10.根据权利要求9所述的磁阻式随机存取存储器结构，其中该碳成分比例持平后的水平大于该氢成分比例持平后的水平复大于该硅成分比例持平后的水平复又大于该氧成分比例持平后的水平。

11.根据权利要求9所述的磁阻式随机存取存储器结构，其中每个该磁阻式随机存取存储器单元包含：

下电极，位于该基底上方；

磁隧穿结叠层，位于该下电极层上方；以及

上电极层，位于该磁隧穿结叠层上方。

12.根据权利要求9所述的磁阻式随机存取存储器结构，还包含间隔层，位于该些磁阻式随机存取存储器单元的侧壁上。

13.根据权利要求9所述的磁阻式随机存取存储器结构，还包含原子层沉积层，位于该些磁阻式随机存取存储器单元之间与外侧，该超低介电系数层覆盖在该原子层沉积层上。

14.根据权利要求9所述的磁阻式随机存取存储器结构，还包含氮掺杂碳化物层，形成在该超低介电系数层的表面。

15.根据权利要求9所述的磁阻式随机存取存储器结构，还包含导孔件，穿过该掺氮碳化硅层与该超低介电系数层电连接到该磁阻式随机存取存储器单元。