[发明专利]改善薄膜体声波谐振器品质因子和优化应力分布的结构

权利要求书

1.一种改善薄膜体声波谐振器品质因子和优化应力分布的结构，其特征在于，该结构包括：

衬底，该衬底的上表面设置有第一空腔，以及位于所述第一空腔内的多个支撑柱；

下电极层，位于所述衬底上表面，且在所述下电极层上与所述衬底贴合的表面设置封闭的第二空腔，所述第二空腔为台阶型环状空腔，且包围所述第一空腔；所述下电极层下表面与每个所述支撑柱的顶面接触，所述下电极层下表面与每个支撑柱的顶面之间构成封闭的第三空腔；所述第二空腔和第三空腔经过牺牲层释放得到；

压电层，位于所述下电极层的表面；

上电极层，位于所述压电层的表面。

2.根据权利要求1所述的改善薄膜体声波谐振器品质因子和优化应力分布的结构，其特征在于，所述第一空腔的支撑柱通过光刻刻蚀方法得到。

3.根据权利要求1所述的改善薄膜体声波谐振器品质因子和优化应力分布的结构，其特征在于，所述第一空腔的支撑柱的截面形状为圆形，直径为10um-20um。

4.根据权利要求1所述的改善薄膜体声波谐振器品质因子和优化应力分布的结构，其特征在于，所述衬底的晶圆材料为玻璃、硅、碳化硅、氮化硅和陶瓷中的一种或多种按任意配比组合。

5.根据权利要求1所述的改善薄膜体声波谐振器品质因子和优化应力分布的结构，其特征在于，所述第一空腔的深度为0.5um-10um，横向最大尺寸为50 um-500um。

6.根据权利要求1所述的改善薄膜体声波谐振器品质因子和优化应力分布的结构，其特征在于，所述牺牲层的材料是氧化硅、氮化硅、磷酸玻璃、掺杂氧化硅或多晶硅，牺牲层的厚度为0.5um-10um。

7.根据权利要求1所述的改善薄膜体声波谐振器品质因子和优化应力分布的结构，其特征在于，所述上电极层的厚度为10nm-2000nm，横向宽度为5um-500um。

8.根据权利要求1所述的改善薄膜体声波谐振器品质因子和优化应力分布的结构，其特征在于，所述下电极层的材料为铜、铝、银、钛、钨、镍和钼中的一种或多种按任意配比组合。