[发明专利]显示装置

权利要求书

1.一种显示装置，包括：

基板；以及

多个子像素，所述多个子像素被布置在所述基板上并且包括发光元件和驱动所述发光元件的子像素电路，

其中，所述子像素电路包括：

驱动晶体管，所述驱动晶体管控制流过所述发光元件的驱动电流；

第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管串联连接并且被布置在作为所述驱动晶体管的漏电极的第一节点与作为所述驱动晶体管的栅电极的第二节点之间，以从同一扫描线接收同一扫描信号；以及

栅辅助电极，所述栅辅助电极被布置在所述第一晶体管的栅电极上或所述第二晶体管的栅电极上，并且连接到所述第一晶体管的所述栅电极或所述第二晶体管的所述栅电极。

2.根据权利要求1所述的显示装置，

其中，所述栅辅助电极在厚度方向上与被布置在所述第一晶体管的有源区域与所述第二晶体管的有源区域之间的所述第一晶体管的漏电极或所述第二晶体管的源电极重叠。

3.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：

被布置在所述基板上的有源层；以及

被布置在所述有源层上的第一栅层，

其中，所述驱动晶体管、所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每一个的有源区域被布置在所述有源层中，并且

所述驱动晶体管、所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每一个的所述栅电极被布置在所述第一栅层中。

4.根据权利要求3所述的显示装置，进一步包括：

被布置在所述第一栅层上的第二栅层，

其中，所述栅辅助电极被布置在所述第二栅层中。

5.根据权利要求4所述的显示装置，进一步包括：

栅绝缘膜，所述栅绝缘膜将所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每一个的所述栅电极与所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每一个的所述有源区域绝缘；以及

层间绝缘膜，所述层间绝缘膜被布置在所述第一栅层与所述第二栅层之间并且包括至少一个接触孔，

其中，所述栅辅助电极通过所述层间绝缘膜的所述至少一个接触孔连接到所述第一晶体管的所述栅电极或所述第二晶体管的所述栅电极。

6.根据权利要求1所述的显示装置，

其中，所述第一晶体管包括连接到所述第一节点的源电极和连接到所述第二晶体管的漏电极，并且

所述第二晶体管包括连接到所述第一晶体管的所述漏电极的源电极和连接到所述第二节点的漏电极。

7.根据权利要求6所述的显示装置，

其中，所述栅辅助电极在厚度方向上与所述第一晶体管的所述漏电极或所述第二晶体管的所述源电极重叠。

8.根据权利要求6所述的显示装置，

其中，所述第一晶体管进一步包括：被布置在所述第一晶体管的有源区域与所述第一晶体管的所述源电极之间的第一掺杂区域，以及被布置在所述第一晶体管的所述有源区域与所述第一晶体管的所述漏电极之间的第二掺杂区域，并且

所述第二晶体管进一步包括：被布置在所述第二晶体管的有源区域与所述第二晶体管的所述源电极之间的第三掺杂区域，以及被布置在所述第二晶体管的所述有源区域与所述第二晶体管的所述漏电极之间的第四掺杂区域。

9.根据权利要求8所述的显示装置，

其中，所述第一掺杂区域、所述第二掺杂区域、所述第三掺杂区域和所述第四掺杂区域中的每一个的掺杂浓度高于所述第一晶体管的所述有源区域或所述第二晶体管的所述有源区域的掺杂浓度。

10.根据权利要求8所述的显示装置，

其中，所述第一掺杂区域、所述第二掺杂区域、所述第三掺杂区域和所述第四掺杂区域中的每一个的掺杂浓度低于所述第一晶体管的所述源电极和所述漏电极以及所述第二晶体管的所述源电极和所述漏电极中的每一个的掺杂浓度。