[发明专利]基于操作参数的电流调节技术在审
申请号: | 202110312170.3 | 申请日: | 2021-03-24 |
公开(公告)号: | CN113539307A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 褚炜路;潘栋 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C5/14 | 分类号: | G11C5/14;G11C7/04;G11C7/06 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 江葳 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 操作 参数 电流 调节 技术 | ||
本申请涉及基于操作参数来调节电流的技术。一种设备可以包含放大器、反馈部件以及第一和第二电流发生器。所述放大器可以包含用于接收第一电压的输入和用于输出第二电压的输出。所述第一电流发生器可以与所述放大器的所述输出耦合,并且至少部分地基于所述第二电压产生第一电流。所述反馈部件可以与所述第一电流发生器耦合,以至少部分地基于与存储器装置相关联的工作温度修改所述第一电流。所述第一电流可以与所述工作温度成比例。所述第二电流发生器可以与所述第一电流发生器耦合,以至少部分地基于由所述反馈部件修改的所述第一电流产生第二电流。
本专利申请要求褚(Chu)等人于2020年4月17日提交的标题为“基于操作参数来调节电流的技术(TECHNIQUES FOR ADJUSTING CURRENT BASED ON OPERATING PARAMETERS)”的第16/852,019号美国专利申请的优先权,所述专利申请被分配给本申请的受让人,并以全文引用的方式明确并入本申请中。
技术领域
本技术领域涉及基于操作参数来调节电流的技术。
背景技术
存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程到不同状态来存储信息。为了存取所存储信息,部件可以读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息,部件可以在存储器装置中写入状态或对状态进行编程。
存在各种类型的存储器装置及存储器单元,包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、自选存储器、硫族化物存储器技术等。存储器单元可以是易失性或非易失性的。例如FeRAM的非易失性存储器即使在无外部电源存在的情况下仍可维持所存储逻辑状态很长一段时间。例如DRAM的易失性存储器装置在与外部电源断开连接时可能会丢失它们所存储状态。
发明内容
描述一种设备。所述设备可以包含:放大器,所述放大器包括用于接收第一电压的输入和用于输出至少部分地基于所述第一电压的第二电压的输出;第一电流发生器,所述第一电流发生器与所述放大器的所述输出耦合,并用于至少部分地基于由所述放大器输出的所述第二电压产生第一电流;反馈部件,所述反馈部件与所述第一电流发生器耦合,并用于至少部分地基于与所述设备相关联的工作温度修改所述第一电流,所述第一电流与所述工作温度成比例;以及第二电流发生器,所述第二电流发生器与所述第一电流发生器耦合,并用于至少部分地基于由所述反馈部件修改的所述第一电流产生第二电流。
描述一种设备。所述设备可以包含:放大器,所述放大器包括用于接收第一电压的第一输入、第二输入和输出;第一晶体管,所述第一晶体管具有栅极和源极,所述栅极与所述放大器的所述输出耦合;电阻部件,所述电阻部件具有与所述第一晶体管的所述源极耦合的输入,所述电阻部件还与所述放大器的所述第二输入耦合;跟踪部件,所述跟踪部件具有与所述第一晶体管的所述源极耦合的输入,所述跟踪部件包括以二极管配置彼此耦合的一对晶体管;以及第二晶体管,所述第二晶体管具有栅极和源极,所述栅极与所述放大器的所述输出耦合,所述第二晶体管经配置以在所述第二晶体管的所述源极上产生第一电流,所述第一电流镜射在所述第一晶体管的所述源极上产生的第二电流。
描述一种方法。所述方法可以包含:在放大器的输入处接收输入电压;识别与所述输入电压相关联的存储器装置的工作温度;至少部分地基于所述放大器的输出处的电压,通过第一电流发生器来产生第一电流,所述第一电流与所述工作温度成比例;通过反馈部件汲取由所述第一电流发生器产生的所述第一电流;至少部分地基于通过所述反馈部件汲取所述第一电流,通过第二电流发生器产生用于存储器单元阵列的第二电流,所述第二电流镜射所述第一电流并且与所述工作温度成比例;以及将由所述第二电流发生器产生的所述第二电流输出到所述存储器单元阵列。
附图说明
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