[发明专利]显示模组及其制作方法在审
| 申请号： | 202110312957.X | 申请日： | 2021-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN113066843A | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 舒适;张笑;于勇;黄海涛;岳阳;焦志强;王维;姚琪 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77;B82Y40/00;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;陈丽宁 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示 模组 及其 制作方法 | ||
1.一种显示模组，其特征在于，包括基板，和沿着远离所述基板的方向依次设置的薄膜晶体管层、纳米反射镜结构和白光OLED器件；
所述基板包括阵列排布的多个像素区域；
所述纳米反射镜结构包括与多个所述像素区域一一对应的多个光取出区，不同的所述光取出区具有不同的微纳米结构以用于反射所述白光OLED器件发出的白光，并形成不同颜色的出射光。
2.根据权利要求1所述的显示模组，其特征在于，所述光取出区包括：
第一光取出区，用于反射所述白光OLED器件发出的白光以形成第一颜色的出射光；
第二光取出区，用于反射所述白光OLED器件发出的光以形成第二颜色的出射光；
第三光取出区，用于反射所述白光OLED器件发出的白光以形成第三颜色的出射光。
3.根据权利要求2所述的显示模组，其特征在于，所述第一光取出区中的所述微纳米结构包括阵列排布的第一纳米柱，所述第一纳米柱的半径为80-120nm，排列周期为160-240nm；
所述第二光取出区中的所述微纳米结构包括阵列排布的第二纳米柱，所述第二纳米柱的半径为80-120nm，排列周期为170-380nm；
所述第三光取出区中的所述微纳米结构为平面结构。
4.根据权利要求3所述的显示模组，其特征在于，所述第一纳米柱的半径为100nm，排列周期为160nm；所述第二纳米柱的半径为80nm，排列周期为170nm。
5.根据权利要求1所述的显示模组，其特征在于，所述纳米反射镜结构的厚度为50-200nm。
6.根据权利要求1所述的显示模组，其特征在于，所述薄膜晶体管层和所述纳米反射镜结构之间设置有第一平坦层，所述第一平坦层的厚度为0.5-3um。
7.根据权利要求1所述的显示模组，其特征在于，所述纳米反射镜结构与所述白光OLED器件之间设置有第二平坦层。
8.根据权利要求1所述的显示模组，其特征在于，所述白光OLED器件远离所述基板的一侧设置有封装保护层。
9.一种显示模组的制作方法，用于权利要求1-8任一项所述的显示模组的制作，其特征在于，包括以下步骤：
在基板上形成薄膜晶体管阵列层；
在所述薄膜晶体管阵列层上形成第一平坦层；
在所述第一平坦层上形成纳米反射镜结构；
在所述纳米反射镜结构上形成第二平坦层；
在所述第二平坦层上形成白光OLED器件；
在白光OLED器件上形成封装保护层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
