[发明专利]半导体器件及其制备方法

说明书

本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，包括：基底；若干栅极沟槽，形成于所述基底中；栅极结构，位于每个所述栅极沟槽中，包括屏蔽栅多晶硅层、栅极多晶硅层、第一氧化层、第二氧化层第三氧化层，所述第一氧化层覆盖所述栅极沟槽的内壁，所述屏蔽栅多晶硅层位于所述第一氧化层上并填充所述栅极沟槽，所述栅极沟槽的侧壁与所述屏蔽栅多晶硅层之间形成第一开口，所述第二氧化层覆盖所述基底的表面及所述第一开口的内壁，所述第三氧化层覆盖所述第一开口内的第二氧化层，所述栅极多晶硅层位于所述第三氧化层上并填充所述第一开口的部分深度；本发明改善了半导体器件中信号串扰的现象。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法。

背景技术

屏蔽栅栅极沟槽型MOSFET管是一种典型的栅极沟槽型MOSFET管，具有传统栅极沟槽型MOSFET管低导通损耗的优点，因此屏蔽栅栅极沟槽型MOSFET管应用广泛。在屏蔽栅栅极沟槽型MOSFET管制造过程中，在栅极沟槽中形成第一氧化层后，第一氧化层覆盖栅极沟槽的内壁，再在栅极沟槽中形成屏蔽栅多晶硅层，屏蔽栅多晶硅层填充于栅极沟槽中，屏蔽栅多晶硅层的顶部高于栅极沟槽的顶部，需要对第一氧化层进行回刻以形成开口，后续工艺在开口中形成栅多晶硅层以形成栅极。

在现有技术中，对第一氧化层进行回刻一般采用的是湿法刻蚀工艺，由于屏蔽栅多晶硅层的顶部与栅极沟槽的顶部具有高度差，高度差会导致在湿法刻蚀后，第一氧化层的顶部不齐。图1为半导体器件的局部电镜图，参考图1，在第一氧化层的顶部与屏蔽栅多晶硅层形成尖角A，该尖角会导致后续形成的第二氧化层，位于尖角处的第二氧化层较薄，尖角处较薄的第二氧化层会导致屏蔽栅多晶硅层与后续工艺形成的栅多晶硅层的电位不易区分，导致信号串扰问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体器件及其制备方法，以改善半导体器件中信号串扰的现象。

为了达到上述目的，本发明提供了一种半导体器件，包括：

基底；

若干栅极沟槽，形成于所述基底中；

栅极结构，位于每个所述栅极沟槽中，包括屏蔽栅多晶硅层、栅极多晶硅层、第一氧化层、第二氧化层第三氧化层，所述第一氧化层覆盖所述栅极沟槽的内壁，所述屏蔽栅多晶硅层位于所述第一氧化层上并填充所述栅极沟槽，所述屏蔽栅多晶硅层的顶部高于所述栅极沟槽的顶部，所述第一氧化层的顶部低于所述栅极沟槽的顶部，以使所述栅极沟槽的侧壁与所述屏蔽栅多晶硅层之间形成第一开口，所述第二氧化层覆盖所述基底的表面及所述第一开口的内壁，所述第三氧化层覆盖所述第一开口内的第二氧化层，所述栅极多晶硅层位于所述第三氧化层上并填充所述第一开口的部分深度。

可选的，所述第三氧化层对应所述第一开口底部的部分的厚度大于对应所述第一开口侧壁的部分的厚度。

可选的，所述第三氧化层对应所述第一开口底部的厚度为

可选的，所述基底包括衬底及位于所述衬底上的外延层，所述栅极沟槽位于所述外延层中，所述栅极沟槽两侧的外延层中形成有源区和阱区，所述源区位于所述阱区内，所述衬底的背面形成有漏区。

可选的，所述第二氧化层上还形成有第四氧化层，所述第四氧化层中具有第二开口、第三开口及第四开口，所述第二开口显露出所述栅极多晶硅层的至少部分顶面，所述第三开口显露出所述屏蔽栅多晶硅层的至少部分顶面，所述第四开口延伸至所述阱区中；

以及，所述第四氧化层上形成有正面金属层，所述正面金属层覆盖所述第三氧化层并填充所述第二开口、所述第三开口及所述第四开口，以与所述栅极多晶硅层、所述屏蔽栅多晶硅层、所述源区及所述阱区电性连接；

在所述漏区的背面形成有背面金属层，所述背面金属层与所述漏区电性连接。

可选的，若干所述栅极沟槽的深度及宽度均相同且沿同一方向延伸。