[发明专利]一种碳化硅压力传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种碳化硅压力传感器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

形成感压结构，包括：

提供衬底，所述衬底包括相对设置的第一表面及第二表面；

在所述第一表面形成电路层；

对所述第二表面进行减薄及抛光处理，以形成感压膜；

形成支撑结构，包括：

提供基底；

在所述基底的表面上形成与所述感压膜的变形区域对应的凹槽；

在所述基底形成通孔；

将所述感压结构与所述支撑结构键合，且使得所述电路层朝向所述凹槽，以形成碳化硅压力传感器芯片。

2.根据权利要求1所述的碳化硅压力传感器的制造方法，其特征在于，所述在所述第一表面形成电路层，包括：

在所述第一表面依次外延生长形成第一外延层及第二外延层；

对所述第二外延层进行光刻及刻蚀处理，以形成间隔设置的压敏电阻及周缘；

在所述压敏电阻的表面、所述周缘的表面及部分所述第一外延层的表面进行淀积，以形成隔离层；

对所述隔离层进行光刻及湿法腐蚀处理，以形成位于所述压敏电阻上的接触孔；

在靠近所述接触孔的部分所述隔离层的表面及所述接触孔内形成布线层，在位于所述周缘的表面的所述隔离层的表面形成与所述通孔对应的焊盘，所述布线层通过所述接触孔将所述压敏电阻相互连接；以及

进行快速热退火处理，使得所述布线层与所述压敏电阻形成欧姆接触。

3.根据权利要求2所述的碳化硅压力传感器的制造方法，其特征在于，所述在所述第一表面形成电路层，还包括：

在所述隔离层、所述布线层及所述焊盘的表面沉积形成阻挡层；以及

对所述阻挡层进行光刻工艺和湿法腐蚀处理，去除部分所述阻挡层，使得所述焊盘裸露。

4.根据权利要求2所述的碳化硅压力传感器的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：

对所述碳化硅压力传感器芯片进行封装，包括：

提供管座，所述管座包括与所述焊盘对应的引线孔；

将所述碳化硅压力传感器芯片固定于所述管座的表面；以及

将引线穿设于所述引线孔和所述通孔内，且与所述焊盘相连。

5.根据权利要求4所述的碳化硅压力传感器的制造方法，其特征在于，所述将引线穿设于所述引线孔和所述通孔内，且与所述焊盘相连，包括：

将导电浆料填充于所述引线孔及所述通孔内；

将所述引线的一端穿过充满导电浆料的所述引线孔及所述通孔，且与所述焊盘相连，另一端从所述引线孔露出；

所述导电浆料冷却固化形成导电结构，以包覆部分所述引线。

6.一种碳化硅压力传感器，其特征在于，所述碳化硅压力传感器包括：

感压结构，所述感压结构包括：

衬底，所述衬底包括相对设置的第一表面及第二表面；

形成于所述第一表面的电路层；

形成于所述第二表面的感压膜，所述感压膜为预设厚度，且表面为平面；

与所述感压结构键合的支撑结构，所述支撑结构开设凹槽及通孔，所述凹槽与所述感压膜的变形区域对应，所述电路层朝向所述的凹槽设置。

7.根据权利要求6所述的碳化硅压力传感器，其特征在于，所述电路层包括：

设置于所述第一表面的第一外延层；

设置于所述第一外延层、且相互间隔的压敏电阻及周缘；

设置于所述压敏电阻的表面、所述周缘的表面及部分所述第一外延层的表面的隔离层，开设于所述隔离层、且位于所述压敏电阻上的接触孔；

设置于靠近所述接触孔的部分所述隔离层的表面及所述接触孔内的布线层，设置于位于所述周缘的表面的所述隔离层的表面形成与所述通孔对应的焊盘，所述布线层通过所述接触孔将所述压敏电阻相互连接，且所述布线层与所述压敏电阻形成欧姆接触。

8.根据权利要求7所述的碳化硅压力传感器，其特征在于，所述电路层还包括设置于所述电路层表面的阻挡层，所述阻挡层覆盖所述布线层及部分所述隔离层，且所述焊盘从所述阻挡层裸露。