[发明专利]校准器、半导体装置及差分输入电路的校准方法在审
申请号: | 202110314520.X | 申请日: | 2021-03-24 |
公开(公告)号: | CN114430255A | 公开(公告)日: | 2022-05-03 |
发明(设计)人: | 张砚棷 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H03F1/30 | 分类号: | H03F1/30;H03F3/45 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 校准 半导体 装置 输入 电路 方法 | ||
1.一种半导体装置,该半导体装置包括:
差分输入电路,该差分输入电路被配置用于接收分别输入至第一输入晶体管和第二输入晶体管的第一输入信号和第二输入信号,并输出输出信号;
比较电路,该比较电路被配置用于在校准模式下,通过将所述输出信号与第一比较电压进行比较来生成第一判断信号,并且通过将所述输出信号与第二比较电压进行比较来生成第二判断信号;
偏移控制电路,该偏移控制电路被配置用于根据所述第一判断信号和所述第二判断信号来调整粗略码和精细码;以及
偏移调整电路,该偏移调整电路被配置用于根据所述粗略码以第一强度来调整所述第一输入晶体管和所述第二输入晶体管中的每一个的驱动能力,并且根据所述精细码以小于所述第一强度的第二强度来调整所述第一输入晶体管和所述第二输入晶体管中的每一个的驱动能力。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,当所述第一判断信号的逻辑电平与所述第二判断信号的逻辑电平不同时,所述偏移控制电路保持所述粗略码和所述精细码。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,当所述第一判断信号和所述第二判断信号二者具有逻辑高电平时,所述偏移控制电路调整所述粗略码和所述精细码,以在降低所述第二输入晶体管的驱动能力的同时增加所述第一输入晶体管的驱动能力。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,当所述第一判断信号和所述第二判断信号二者具有逻辑低电平时,所述偏移控制电路调整所述粗略码和所述精细码,以在增加所述第二输入晶体管的驱动能力的同时降低所述第一输入晶体管的驱动能力。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述偏移控制电路包括:
偏移控制器,该偏移控制器被配置用于基于所述第一判断信号和所述第二判断信号,生成计数控制信号以增加或减小所述粗略码和所述精细码;
粗略计数器,该粗略计数器被配置用于根据所述计数控制信号来增加或减小所述粗略码;
精细计数器,该精细计数器被配置用于根据所述计数控制信号来增加或减小所述精细码;以及
寄存器,该寄存器被配置用于存储从所述粗略计数器和所述精细计数器输出的所述粗略码和所述精细码。
6.根据权利要求5所述的半导体装置,其中,所述偏移控制器通过以下操作生成所述计数控制信号:
基于所述第一判断信号和所述第二判断信号,生成所述计数控制信号当中的精细控制信号;
当根据所述精细控制信号增加的所述精细码中的任意精细码达到最大计数值时,确定是否生成所述计数控制信号当中的粗略控制信号,
根据确定结果,依次生成所述粗略控制信号和所述精细控制信号。
7.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述偏移调整电路包括:
第一粗略调整器,该第一粗略调整器被配置用于根据所述粗略码当中的第一粗略码,以所述第一强度调整所述第一输入晶体管的驱动能力;
第一精细调整器,该第一精细调整器被配置用于根据所述精细码当中的第一精细码,以所述第二强度调整所述第一输入晶体管的驱动能力;
第二粗略调整器,该第二粗略调整器被配置用于根据所述粗略码当中的第二粗略码,以所述第一强度调整所述第二输入晶体管的驱动能力;以及
第二精细调整器,该第二精细调整器被配置用于根据所述精细码当中的第二精细码,以所述第二强度来调整所述第二输入晶体管的驱动能力。
8.根据权利要求7所述的半导体装置,
其中,所述第一粗略调整器包括并联联接在所述第一输入晶体管的漏极和源极之间的多个第一可变电阻器,并且
其中,所述第一可变电阻包括:
开关,所述开关响应于所述第一粗略码的各个位而接通,以及
调整晶体管,所述调整晶体管具有用于共同接收所述第一输入信号的栅极,并且具有彼此不同的电阻值。
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