[发明专利]高Q值的兰姆波谐振器在审
| 申请号： | 202110314522.9 | 申请日： | 2021-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN112953438A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 孙成亮;周禹;周杰;王磊;胡博豪;朱伟;童欣;温志伟 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/145 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 艾小倩 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 兰姆波 谐振器 | ||
1.一种高Q值的兰姆波谐振器，其特征在于：在传统兰姆波谐振器的叉指电极结构上，在叉指电极的链接位置建立电极阻隔结构；通过两端支撑在上层铺设新的链接桥电极，桥电极与压电层不接触，并在下端形成电极阻隔区，从而形成电极与压电材料的隔绝层，提高了兰姆波谐振器谐振器的Q值。
2.根据权利要求1所述的高Q值的兰姆波谐振器，其特征在于：所述兰姆波谐振器的压电材料表面上布置有施加相反激励的叉指电极，通过带正电和带负电的叉指电极激发相反的交流电压，并在压电材料中产生形变，进而产生沿x轴传播的兰姆波。
3.根据权利要求1或2所述的高Q值的兰姆波谐振器，其特征在于：所述压电材料包括铌酸锂、钽酸锂、氮化铝、锆碳酸铅和氧化锌。
4.根据权利要求1或2所述的高Q值的兰姆波谐振器，其特征在于：所述叉指电极的材料为钼、钨、铝、金或铂中的至少一种。
5.根据权利要求3所述的高Q值的兰姆波谐振器，其特征在于：所述叉指电极的材料为钼、钨、铝、金或铂中的至少一种。
6.根据权利要求1或2或5所述的高Q值的兰姆波谐振器，其特征在于：所述电极阻隔结构的材料为钼、钨、铝、金或铂中的至少一种。
7.根据权利要求1或2或5所述的高Q值的兰姆波谐振器，其特征在于：所述电极阻隔结构的内部材料为低阻抗的空气、真空或正温度系数的温补材料中任一种。
8.根据权利要求6所述的高Q值的兰姆波谐振器，其特征在于：所述电极阻隔结构的内部材料为低阻抗的空气、真空或正温度系数的温补材料中任一种。
9.根据权利要求1或2或5或8所述的高Q值的兰姆波谐振器，其特征在于：所述电极阻隔结构位于叉指电极阵列边缘的链接位置，均能应用于压电材料的上层或下层电极。
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