[发明专利]一种空间太阳电池复合互连材料及其制备方法

权利要求书

1.一种空间太阳电池复合互连材料，其特征在于，所述复合互连材料由内到外依次包括钼基体，钼基体表面沉积的钼银合金过渡层，以及过渡层表面沉积的银薄膜；

所述复合互连材料的制备方法具体包括以下步骤：

步骤1：将钼基体进行预处理；

步骤2：采用双靶磁控溅射聚焦共沉积方法在钼基体表面沉积钼银合金过渡层，所述双靶分别为纯钼靶和纯银靶；

步骤3：采用磁控溅射在钼银合金表面沉积银薄膜。

2.根据权利要求1所述的空间太阳电池复合互连材料，其特征在于，所述钼基体的厚度为8～30μm。

3.根据权利要求1所述的空间太阳电池复合互连材料，其特征在于，所述过渡层的厚度为0.05～2μm。

4.根据权利要求1所述的空间太阳电池复合互连材料，其特征在于，所述过渡层包括单层或多层成分梯度变化层。

5.根据权利要求4所述的空间太阳电池复合互连材料，其特征在于，所述成分梯度变化层中，银含量从钼基体向银薄膜逐步增大。

6.根据权利要求1所述的空间太阳电池复合互连材料，其特征在于，所述过渡层中包括银单质晶相和非晶钼相以及Ag固溶于Mo的固溶体。

7.根据权利要求1所述的空间太阳电池复合互连材料，其特征在于，所述银薄膜的厚度为2～10μm。

8.一种如权利要求1～7任一项所述的空间太阳电池复合互连材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：将钼基体进行预处理；

步骤2：采用双靶磁控溅射聚焦共沉积方法在钼基体表面沉积钼银合金过渡层，所述双靶分别为纯钼靶和纯银靶；

步骤3：采用磁控溅射在钼银合金表面沉积银薄膜。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，预处理包括以下步骤：

步骤11：将钼基体进行碱煮，经清洗、干燥后，置于真空室样品台；

步骤12：采用离子束或等离子体对钼基体表面进行清洗。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述步骤2中，所述双靶靶头倾斜角均为15°～30°。