[发明专利]二硫化钼增强银纳米线表面等离子体激元传输长度的基底

权利要求书

1.MoS₂增强银纳米线表面等离子体激元传输长度的基底，其特征在于，该基底为层状结构，自下而上依次为硅层、SiO₂层、三角形单层MoS₂层和银纳米线层，所述银纳米线层为单根纳米线，纳米线直径为590nm，长度为15μm，所述三角形单层MoS₂为单层MoS₂纳米片，三角形状MoS₂层是通过化学气相沉积法直接在生长在SiO₂衬底上，银纳米线层是利用旋涂法将银纳米线均匀的旋涂在MoS₂/SiO₂衬底上的。

2.MoS₂增强银纳米线表面等离子体激元传输长度的基底的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：

（1）大尺寸直径银纳米线的制备：在10ml乙二醇中加入0.1665g聚乙烯吡咯烷酮和20μL浓度为0.1mmol/L的FeCl₃乙二醇溶液，搅拌至混合均匀，将混合后的溶液逐滴滴加到10ml浓度为0.1mol/L AgNO₃的乙二醇溶液中，搅拌至溶液呈乳白色，随后将混合后的溶液倒入硝酸处理过的高压釜内胆中，在170℃下反应2.5h后冷却，便到所需要的银纳米线原液；

（2）三角形状MoS₂纳米片的制备：使用化学气相沉积法利用双温区管式炉使纯度为99.99%的三氧化钼和纯度为99.5%的硫粉在高温状态下反应，在SiO₂衬底上生长三角形状单层ML-MoS₂；

（3）测试样品的制备：将步骤（1）中生成的银纳米线用无水乙醇洗涤并稀释到合适的浓度，使用旋涂法将银纳米线均匀的分散在步骤（2）制备好的ML-MoS₂纳米片上；

（4）使用光纤锥激发银纳米线表面等离子体激元：使用实验室拉制的光纤锥移动单根银纳米线相对于MoS₂/SiO₂衬底于不同的位置并利用光纤锥激发银纳米线的表面等离激元，包括银纳米线全部位于SiO₂衬底或MoS₂/SiO₂复合物上、银纳米线一部分位于SiO₂衬底一部分位于MoS₂/SiO₂复合物上，单根银纳米线直径为590nm，长度为15μm。

3.根据权利要求2所述的MoS₂增强银纳米线表面等离子体激元传输长度的基底的制备方法，其特征在于，步骤（3）中取1ml原液和5ml无水乙醇放入离心管中摇匀，并以4000r/s进行5分钟离心，然后倒掉上层溶液加5ml无水乙醇再次摇匀离心，再次倒掉上层溶液加入5ml无水乙醇摇匀，使用移液枪将10μl溶液利用旋涂法使其均匀的分散在MoS₂/SiO₂复合物上。

4.根据权利要求2所述的MoS₂增强银纳米线表面等离子体激元传输长度的基底的制备方法，其特征在于，步骤（4）中所述光纤锥是单模光纤在熔融状态下利用机械法拉制而成，形态良好，无散光现象，锥尖直径为500nm。

5.根据权利要求2所述的MoS₂增强银纳米线表面等离子体激元传输长度的基底的制备方法，其特征在于，步骤（4）中所述银纳米线相对不同衬底的状态是利用三维纳米平移台夹住移动光纤锥缓慢移动同一根银纳米线形成的。

6.根据权利要求2所述的MoS₂增强银纳米线表面等离子体激元传输长度的基底的制备方法，其特征在于，步骤（4）中所述银纳米线相对不同衬底表面等离激元的激发是利用三维纳米平移台夹住激发光纤锥使锥尖缓慢接触同一根银纳米线，并且光纤锥与银纳米线所成的角度均相同。

7.根据权利要求2所述的MoS₂增强银纳米线表面等离子体激元传输长度的基底的制备方法，其特征在于，步骤（4）中激光光纤锥激发银纳米线的表面等离激元使用的是671nm波长的激光。