[发明专利]一种高阻隔膜及其制备方法

权利要求书

1.一种高阻隔膜，包括柔性基层（10），其特征在于：还包括由所述柔性基层（10）的一面依次设置的第一无机氧化物层（11）、第二无机氧化物层（12）、第三无机氧化物层（13）、第四无机氧化物层（14）、保护膜（15），所述第一、第二、第三、第四无机氧化物层（11、12、13、14）均由磁控溅射工艺制备而成的，所述第一层无机氧化物层（11）厚度为10-20nm，所述第二层无机氧化物层（12）厚度为20-40nm，所述第三层无机氧化物层（13）厚度为10-20nm，所述第四层无机氧化物层（14）厚度为5-20nm。

2.根据权利要求1所述的高阻隔膜，其特征在于：所述第一、第二、第三、第四无机氧化物层（11、12、13、14）分别为氧化铝层、氧化钛层、氧化铌层、氧化硅层、氧化铟锡层、氧化硅铝层、氧化钒层、氧化锆层、氧化锌层、氧化铪层、氧化钽层中的一种。

3.根据权利要求1所述的高阻隔膜，其特征在于：所述柔性基层（10）为聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚萘二甲酸一二酸酯薄膜、聚甲基丙烯酸甲酯薄膜、聚酰亚胺薄膜、聚苯乙烯薄膜中的一种，所述柔性基层（10）厚度为10-125μm。

4.根据权利要求1所述的高阻隔膜，其特征在于：所述保护膜（15）为聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚萘二甲酸一二酸酯薄膜、聚甲基丙烯酸甲酯薄膜、聚酰亚胺薄膜、聚苯乙烯薄膜中的一种。

5.根据权利要求2所述的高阻隔膜，其特征在于：所述第一无机氧化物层（11）为Al，Si，Si-Al的氧化物层、Al，Si，Si-Al的氮氧化物层、Al，Si，Si-Al的氮化物层中的一种。

6.根据权利要求2所述的高阻隔膜，其特征在于：所述第二、第三无机氧化物层（12、13）为Si，Ti，Si-Al，Nb的氧化物层、Si，Ti，Si-Al，Nb的氮氧化物层、Si，Ti，Si-Al，Nb的氮化物层的一种。

7.一种制作权利要求1-6中任意一项所述高阻隔膜的方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤一：在所述柔性基层（10）的一面通过磁控溅射工艺涂设第一无机氧化物层；

步骤二：在所述第一无机氧化物层（11）上通过磁控溅射工艺涂设第二无机氧化物层（12）；

步骤三：在所述第二无机氧化物层（12）上通过磁控溅射工艺涂设第三无机氧化物层（13）；

步骤四：在所述第三无机氧化物层（13）上通过磁控溅射工艺涂设第四无机氧化物层（14）；

步骤五：在所述第四无机氧化物层（14）上贴覆保护膜（15），制作完成。