[发明专利]一种基于LTCC的圆极化微带天线

权利要求书

1.一种基于LTCC的圆极化微带天线，其特征在于，包括下金属层、中间金属层、上金属层、辐射贴片、耦合贴片、射频输入焊盘、正交耦合器和接地柱，所述下金属层、所述中间金属层、所述上金属层、所述辐射贴片和所述耦合贴片两两间隔设置，并采用LTCC工艺依次从下至上加工而成；所述下金属层、所述中间金属层和所述上金属层三者通过所述接地柱连接；所述下金属层开设有焊盘窗口，所述射频输入焊盘安装在所述焊盘窗口，所述中间金属层开设有耦合器窗口，所述正交耦合器基于LTCC工艺设置在所述耦合器窗口，所述辐射贴片设置有第一馈点和第二馈点，第一馈点和第二馈点对称分布在辐射贴片，所述正交耦合器的输入端与所述射频输入焊盘连通，所述正交耦合器的隔离端与所述中间金属层连通，所述正交耦合器的直通端与所述第一馈点连通，所述正交耦合器的耦合端与所述第二馈点连通。

2.如权利要求1所述的基于LTCC的圆极化微带天线，其特征在于，所述基于LTCC的圆极化微带天线还包括第一金属柱，所述射频输入焊盘通过所述第一金属柱与所述正交耦合器的输入端连通。

3.如权利要求1所述的基于LTCC的圆极化微带天线，其特征在于，所述基于LTCC的圆极化微带天线还包括接地电阻，所述中间金属层通过接地电阻与正交耦合器的隔离端连通。

4.如权利要求1所述的基于LTCC的圆极化微带天线，其特征在于，所述基于LTCC的圆极化微带天线还包括第一射频线和第二射频线，所述第一射频线的一端与所述正交耦合器的直通端连通，所述第一射频线的另一端与第一馈点连通，所述第二射频线的一端与所述正交耦合器的耦合端连通，所述第二射频线的另一端与所述第二馈点连通。

5.如权利要求4所述的基于LTCC的圆极化微带天线，其特征在于，所述基于LTCC的圆极化微带天线还包括第二金属柱和第三金属柱，所述第一射频线的一端通过第二金属柱与所述正交耦合器的直通端连通，所述第一射频线的另一端通过第三金属柱与第一馈点连通。

6.如权利要求4所述的基于LTCC的圆极化微带天线，其特征在于，所述基于LTCC的圆极化微带天线还包括第四金属柱和第五金属柱，所述第二射频线的一端通过第四金属柱与所述正交耦合器的耦合端连通，所述第二射频线的另一端通过第五金属柱与所述第二馈点连通。

7.如权利要求1所述的基于LTCC的圆极化微带天线，其特征在于，所述基于LTCC的圆极化微带天线还包括围设在所述正交耦合器外侧的金属圈，所述金属圈位于上金属层与下金属层之间，并用于连接所述下金属层、所述中间金属层和所述上金属层。

8.如权利要求1所述的基于LTCC的圆极化微带天线，其特征在于，所述基于LTCC的圆极化微带天线还包括设于上金属层上的金属框，所述金属框围设在所述辐射贴片和所述耦合贴片的外侧。

9.如权利要求1所述的基于LTCC的圆极化微带天线，其特征在于，所述LTCC材料为杜邦951、杜邦9K7和Ferro A6-M三者中任一者。

10.如权利要求1所述的基于LTCC的圆极化微带天线，其特征在于，所述辐射贴片和所述耦合贴片平行放置，所述辐射贴片采用Ag或Au制备而成。