[发明专利]存储的装置及其方法在审
申请号: | 202110319072.2 | 申请日: | 2021-03-25 |
公开(公告)号: | CN113448510A | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | R.P.卡查雷;M.沙马;P.科里什纳姆尔蒂 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邵亚丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 装置 及其 方法 | ||
公开了一种存储设备。该存储设备可以包括用于数据的存储装置。主机接口可以在存储设备处接收来自主机的写入请求。写入请求可以包括第一数据组块和第一数据标识符(ID)。第一类别ID确定器电路可以确定第一数据组块的第一类别ID。第一映射表可以将第一数据ID映射到第一类别ID。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年3月25日提交的美国临时专利申请第62/994,820号的权益,其出于所有目的通过引用并入本文。
技术领域
本发明构思总体上涉及存储设备,并且更具体地,涉及通过以小于全保真度存储数据以增加存储设备的有效存储容量。
背景技术
在信息技术(IT)基础结构中,各种设备和过程正在生成大量数据。这些数据生成器的一些示例包括但不限于智能机、自动驾驶车辆、社交网络和物联网(IoT)设备。正在开发人工智能(AI)和机器学习(ML)算法,以分析收集到的数据并使用数据在各种应用中实现更高的效率和生产率。如此,大量的数据可以存储在由固态驱动器(SSD)、硬盘驱动器(HDD)、存储节点和存储互连组成的高性能、可靠的存储系统中。
SSD使用非AND(NAND)闪存介质来持久地存储数据。闪存介质能够使用并行闪存通道接口实现高性能的数据访问。可以使用主机接口协议,诸如快速非易失性存储器(NVMe)和基于光纤通道的NVMe(NVMe-oF),使得向主机提供闪存介质性能和其他优点。
但是,生成巨大的数据量需要大量的存储设备来存储数据。随着存储的数据量的增加,存储数据所需的存储设备的数量也会增加。此外,可以以全保真度(fidelity)存储数据,每个数据独立于任何其他数据被存储。数据去重复(deduplication)可以消除相同数据的冗余副本,但是如果两个数据集之间存在任何差异,则可能无法最佳地执行数据去重复。
仍然需要可以增加其有效存储容量而不必增加额外的实际存储容量的存储设备。
附图说明
图1示出了根据本发明构思的实施例的包括有损存储设备的机器。
图2示出了图1的机器的附加细节。
图3示出可以被视为相同类别或不同类别的数据组块(chunk)的示例可视化。
图4示出了图3的有损存储设备的细节。
图5示出了图4的闪存转换层的细节。
图6示出了图5的有损存储设备的替代视图。
图7A-图7B示出了根据本发明构思的实施例的、图1的有损存储设备处理来自图1的主机的写入请求的示例过程的流程图。
图8示出了根据本发明构思的实施例的、图1的有损存储设备在数据组块的不同类别ID之间进行选择的示例过程的流程图。
图9示出了根据本发明构思的实施例的、图1的有损存储设备使用持久性策略更新代表性数据组块的示例过程的流程图。
图10示出了根据本发明构思的实施例的、图1的有损存储设备处理来自图1的主机的读取请求的示例过程的流程图。
图11示出了根据本发明构思的实施例的、图1的有损存储设备处理来自图1的主机的删除请求的示例过程的流程图。
具体实施方式
现在将详细参考本发明的实施例,其示例在附图中示出。在下面的详细描述中,阐述了多个具体细节以使得能够全面理解本发明。然而,应当理解,本领域普通技术人员可以在没有这些具体细节的情况下实践本发明。在其他情况下,没有详细描述公知的方法、过程、组件、电路和网络,以免不必要地模糊实施例的各方面。
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