[发明专利]建模设备、计算方法和非暂时性计算机可读存储介质在审
申请号: | 202110319584.9 | 申请日: | 2021-03-25 |
公开(公告)号: | CN113472301A | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 大西政彦;持田英史 | 申请(专利权)人: | 住友电气工业株式会社 |
主分类号: | H03F1/32 | 分类号: | H03F1/32 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 李兰;孙志湧 |
地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 建模 设备 计算方法 暂时性 计算机 可读 存储 介质 | ||
本发明涉及建模设备、计算方法和非暂时性计算机可读存储介质。提供一种建模设备,所述建模设备使用对放大器建模的放大器模型来进行计算,所述放大器的影响失真特性的内部状态是改变的,其中,所述放大器模型包括:多个计算模型,所述多个计算模型对处于不同内部状态的所述放大器进行建模;和组合器,所述组合器以与改变的所述内部状态相对应的组合比组合所述多个计算模型。
技术领域
本公开涉及一种建模设备、计算方法和非暂时性计算机可读存储介质。
背景技术
放大器具有失真特性。失真特性也被称为非线性特性。失真特性由例如AM-AM特性或AM-PM特性表示。
在放大器中,影响失真特性的内部状态可能改变。内部状态是例如Idq漂移的生成的状态,该Idq漂移是流过放大器的空闲电流Idq改变的现象。Idq漂移的生成改变放大器的失真特性。
Idq漂移是由进入到半导体中的杂质能级中的载流子的捕获而引起的现象,并且是在使用诸如GaN的化合物半导体的器件中引起的,特别是在高电子迁移率晶体管(HEMT)中引起的。Idq漂移的波动改变放大器的失真特性。
在日本专利申请公开No.2017-220744和2014-17670中公开了一种用于补偿由于Idq漂移而导致的失真特性的方法。
发明内容
在各种情形下期望模拟放大器的失真特性。例如,在开发放大器的失真补偿设备时,对放大器的失真特性的模拟使得能够评价失真补偿性能,从而使开发处理更高效。此外,在设计放大器的外围电路时,预先考虑到放大器的失真特性的设计成为可能。
然而,如上所述,放大器的失真特性可以取决于放大器的内部状态而改变。具有改变的失真特性的放大器很难使用单个放大器模型来建模。为了适当地模拟放大器的失真特性,期望适当地对影响失真特性的内部状态改变的放大器进行建模的放大器模型。
根据本公开的一个方面的是一种建模设备。本公开的建模设备是使用对放大器建模的放大器模型来进行计算的建模设备,所述放大器的影响失真特性的内部状态是改变的,其中,该放大器模型包括:多个计算模型,该多个计算模型对处于不同内部状态的放大器进行建模;和组合器,该组合器以与改变的内部状态相对应的组合比组合多个计算模型。
根据本公开的另一方面的是一种计算方法。本公开的计算方法是对放大器进行建模的计算方法,所述放大器的影响失真特性的内部状态是改变的,该计算方法包括组合器以根据改变的内部状态的组合比组合对处于不同内部状态的放大器进行建模的多个计算模型的步骤。
根据本公开的另一方面的是一种存储计算机程序的非暂时性计算机可读介质。本公开的计算机程序是对放大器进行建模的用于计算的计算机程序,所述放大器的影响失真特性的内部状态是改变的,该计算机程序使计算机执行处理,该处理包括:以与改变的内部状态相对应的组合比组合对处于不同内部状态的放大器进行建模的多个计算模型。
附图说明
图1是根据第一实施例的建模设备的框图;
图2是通信设备的配置图;
图3是建模设备的硬件配置图;
图4是放大器模型的说明图;
图5图示输入功率与内部状态参数之间的关系;
图6图示内部状态参数与计算模型之间的关系;
图7是用于生成计算模型的说明图;
图8是生成放大器模型的处理的流程图;
图9是α[n]生成器的说明图;
图10是根据第二实施例的建模设备的框图;
图11是另一放大器模型的说明图;
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