[发明专利]一种通过钴中间层扩散连接方钴矿与铜电极的方法

权利要求书

1.一种通过钴中间层扩散连接方钴矿与铜电极的方法，其特征在于该扩散连接方法按以下步骤进行：

一、先将方钴矿热电材料进行切割，然后将方钴矿热电材料的待焊面进行打磨、抛光、超声清洗和吹干，得到待焊方钴矿热电材料，密封保存；将Co箔的双面进行打磨、超声清洗和吹干，得到待焊Co箔，密封保存；将铜电极的待焊面进行打磨、抛光、超声清洗和吹干，得到待焊铜电极，密封保存；

二、将待焊Co箔置于待焊方钴矿热电材料和待焊铜电极之间进行装配，得到待焊连接件；将待焊连接件在5×10^-3～10×10^-3Pa的真空环境下升温至600～680℃，并在600～680℃下保温10～60min，然后降温至580～600℃，再降至室温，完成钴中间层扩散连接方钴矿与铜电极。

2.根据权利要求1所述的一种通过钴中间层扩散连接方钴矿与铜电极的方法，其特征在于步骤一中将方钴矿热电材料使用金刚石线切割机进行切割，切割后的方钴矿热电材料的尺寸为5mm×5mm×8mm。

3.根据权利要求1所述的一种通过钴中间层扩散连接方钴矿与铜电极的方法，其特征在于步骤一中将方钴矿热电材料的待焊面依次使用800#、1000#、1500#和2000#的金相砂纸进行打磨，然后抛光，再置于丙酮溶液中超声清洗10～20min，最后使用吹风机冷风吹干。

4.根据权利要求1所述的一种通过钴中间层扩散连接方钴矿与铜电极的方法，其特征在于步骤一中将Co箔的双面使用砂纸进行打磨，然后抛光，再置于丙酮溶液中超声清洗10～20min，最后使用吹风机冷风吹干。

5.根据权利要求1所述的一种通过钴中间层扩散连接方钴矿与铜电极的方法，其特征在于步骤一中所述的待焊Co箔的厚度为100～300μm。

6.根据权利要求1所述的一种通过钴中间层扩散连接方钴矿与铜电极的方法，其特征在于步骤一中将铜电极的待焊面使用砂纸进行打磨，然后抛光，再置于丙酮溶液中超声清洗10～20min，最后使用吹风机冷风吹干。

7.根据权利要求1所述的一种通过钴中间层扩散连接方钴矿与铜电极的方法，其特征在于步骤二中将待焊连接件在5×10^-3Pa的真空环境下升温至600～680℃。

8.根据权利要求1所述的一种通过钴中间层扩散连接方钴矿与铜电极的方法，其特征在于步骤二中将待焊连接件以15～30℃/min的升温速率升温至600～680℃。

9.根据权利要求1所述的一种通过钴中间层扩散连接方钴矿与铜电极的方法，其特征在于步骤二中保温结束后，将待焊连接件降至600℃。

10.根据权利要求1或9所述的一种通过钴中间层扩散连接方钴矿与铜电极的方法，其特征在于步骤二中保温结束后，将待焊连接件以10～20℃/min的降温速率降至600℃。

11.根据权利要求1所述的一种通过钴中间层扩散连接方钴矿与铜电极的方法，其特征在于步骤二中将待焊连接件以1～10℃/min的降温速率降至室温。