[发明专利]spiro-MeOTAD/Ga2

权利要求书

1.一种spiro-MeOTAD/Ga₂O₃/Si p-i-n光电二极管型日盲紫外探测器，其特征在于，所述日盲紫外探测器依次包括第一电极，空穴传输层，光吸收层，电子传输层以及第二电极，其中，

所述空穴传输层能够透过日盲紫外光，采用p型spiro-MeOTAD有机物薄膜；

所述光吸收层用于吸收日盲紫外光，采用Ga₂O₃薄膜；

所述电子传输层为n型Si衬底；

所述第一电极与所述空穴传输层欧姆接触；

所述第二电极与所述电子传输层欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的spiro-MeOTAD/Ga₂O₃/Si p-i-n光电二极管型日盲紫外探测器，其特征在于，

所述Ga₂O₃薄膜厚度为100nm～1000nm。

3.根据权利要求1所述的spiro-MeOTAD/Ga₂O₃/Si p-i-n光电二极管型日盲紫外探测器，其特征在于，

所述p型spiro-MeOTAD薄膜厚度为20nm～800nm。

4.根据权利要求1所述的spiro-MeOTAD/Ga₂O₃/Si p-i-n光电二极管型日盲紫外探测器，其特征在于，

所述第一电极的材料采用金、银、铜和铝中的一种或多种组合。

5.根据权利要求1所述的spiro-MeOTAD/Ga₂O₃/Si p-i-n光电二极管型日盲紫外探测器，其特征在于，

所述第二电极的材料采用金、银、铜、铝、铂、钛、镓和铟中的一种或多种组合。

6.一种spiro-MeOTAD/Ga₂O₃/Si p-i-n光电二极管型日盲紫外探测器的制备方法，其特征在于，依次包括以下步骤：

(1)使用薄膜制备方法在n型Si衬底上生长Ga₂O₃薄膜，厚度为50nm～2000nm；

(2)制备不同溶液浓度的spiro-MeOTAD溶液；

(3)将不同溶液浓度的spiro-MeOTAD溶液滴在Ga₂O₃薄膜上进行旋涂，转速为800转/秒～4000转/秒，时间为10秒～60秒，形成20nm至800nm不同厚度的p型spiro-MeOTAD有机物薄膜；

(4)将旋涂好的样品在干燥柜中放置2小时～24小时；

(5)制备与p型spiro-MeOTAD有机物薄膜欧姆接触的第一电极；

(6)制备与n型Si衬底欧姆接触的第二电极。

7.根据权利要求6所述的spiro-MeOTAD/Ga₂O₃/Si p-i-n光电二极管型日盲紫外探测器的制备方法，其特征在于，

所述薄膜制备方法包括激光脉冲沉积法(PLD)、金属有机化学气相沉积法(MOCVD)、分子束外延技术(MBE)、磁控溅射法(RF)或溶胶凝胶法(Sol-gel)中的一种或多种方法。

8.根据权利要求6所述的spiro-MeOTAD/Ga₂O₃/Si p-i-n光电二极管型日盲紫外探测器的制备方法，其特征在于，

制备的spiro-MeOTAD溶液的溶液浓度为9mg/ml～144mg/ml，其中，溶质为spiro-MeOTAD，溶剂为氯苯。

9.根据权利要求6所述的spiro-MeOTAD/Ga₂O₃/Si p-i-n光电二极管型日盲紫外探测器的制备方法，其特征在于，

所述第一电极的制备方法为热蒸镀和磁控溅射中的一种或两种组合；

所述第二电极的制备方法为热蒸镀和磁控溅射中的一种或两种组合。