[发明专利]一种掺杂Rb的三元复合固态电解质的制备方法

权利要求书

1.一种掺杂Rb的三元复合固态电解质的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：

（1）制备铷掺杂的LLZTO固态电解质：将锂源、镧源、锆源、钽源、铷源加入分散剂球磨混合12~24 h，在700~1200 °C高温下进行烧结，球磨成粉末状，加入分散剂，形成铷掺杂的LLZTO浆料；

（2）将步骤（1）所得铷掺杂的LLZTO浆料浸润聚合物基底的两面，置于100~120 °C真空炉中进行干燥，并在50～500 MPa下压成50~100微米厚度的片状陶瓷电解质；

（3）将步骤（2）所得片状陶瓷电解质浸泡在离子液体中12~24 h，然后在100~120 °C真空烘干，得到形成LLZTO陶瓷基、聚合物和离子液体复合的固态电解质，即掺杂Rb的三元复合固态电解质。

2.根据权利要求1所述的一种掺杂Rb的三元复合固态电解质的制备方法，其特征在于步骤（1）中分散剂均采用N-甲基吡咯烷酮。

3.根据权利要求1所述的一种掺杂Rb的三元复合固态电解质的制备方法，其特征在于步骤（2）中聚合物基底膜选自PEO、PAN、PEC、PVP、PVDF、PPC中的一种，膜厚度控制在50~100μm。

4.根据权利要求1所述的一种掺杂Rb的三元复合固态电解质的制备方法，其特征在于步骤（3）中离子液体采用含锂的离子液体[EMI_0.8Li_0.2][TFSI]。

5.根据权利要求1所述的一种掺杂Rb的三元复合固态电解质的制备方法，其特征在于所述锂源选自氢氧化锂、碳酸锂、高氯酸锂、双三氟甲基磺酰亚胺锂中的一种或者几种；镧源选自为氧化镧、氢氧化镧、碳酸镧中的一种或几种；所述锆源选自氧化锆、氢氧化锆、碳酸锆中的至少一种或者几种；所述铷源选自碳酸铷、氯化铷、硝酸铷、氢氧化铷中的一种；所述钽源选自氧化钽和氢氧化钽中的一种。

6.根据权利要求1所述的一种掺杂Rb的三元复合固态电解质的制备方法，其特征在所述锂源、镧源、锆源、钽源、铷源按金属离子的Li、La、Zr、Ta、Rb的摩尔比来计为(7~8)：3：2：（0.5~1.5）：（0~1）；其中，铷源的量不为0。