[发明专利]一种层间稳定粘附的分布式布拉格反射镜及其制备方法

权利要求书

1.一种层间稳定粘附的分布式布拉格反射镜，其特征在于，由含硅材料与α-Si交替沉积形成叠层结构，所述含硅材料膜层与α-Si膜层间设置含硅材料与α-Si的杂化膜层，以提高周期性叠加的α-Si膜层与含硅材料膜层间粘附性。

2.如权利要求1所述的层间稳定粘附的分布式布拉格反射镜，其特征在于，所述含硅材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

3.如权利要求1所述的层间稳定粘附的分布式布拉格反射镜，其特征在于，所述含硅材料与α-Si的杂化膜层与α-Si膜层连续分布，且杂化膜层厚度为3~15nm。

4.权利要求1所述的层间稳定粘附的分布式布拉格反射镜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：将衬底进行RCA清洗，传送至PECVD腔室，进行预加热；

步骤2：通入α-Si反应气体并稳定腔压，打开射频电源开始沉积α-Si膜层，结束后关闭射频电源及反应气体，并通入N₂进行吹扫；

步骤3：通入含硅材料反应气体并稳定腔压，打开射频电源开始沉积含硅材料膜层，结束后关闭射频电源及反应气体，并通入N₂进行吹扫；

步骤4：通入α-Si反应气体和含硅材料反应气体并稳定腔压，打开射频电源开始沉积含硅材料与α-Si的杂化膜层，关闭含硅材料反应气体后开始沉积α-Si膜层，结束后取出样品，对PECVD腔室进行清理；

步骤5：重复步骤3、4直至获得目标层数。

5.如权利要求4所述的层间稳定粘附的分布式布拉格反射镜的制备方法，其特征在于，所述步骤1中预加热温度为200℃~450℃。

6.如权利要求4所述的层间稳定粘附的分布式布拉格反射镜的制备方法，其特征在于，所述步骤2和4中α-Si反应气体为SiH₄，所述步骤3和4中含硅材料反应气体为SiH₄和N₂O、NH₃中的一种或多种。

7.如权利要求4所述的层间稳定粘附的分布式布拉格反射镜的制备方法，其特征在于，所述步骤4中含硅材料反应气体流量为步骤3中含硅材料反应气体流量的10%~100%。

8.如权利要求4所述的层间稳定粘附的分布式布拉格反射镜的制备方法，其特征在于，所述步骤4中含硅材料与α-Si的杂化膜层的沉积时间为1s~4s。