[发明专利]一种待失效分析样品的制备方法及待失效分析样品

权利要求书

1.一种待失效分析样品的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供封装结构，所述封装结构包括芯片堆叠结构以及覆盖所述芯片堆叠结构的密封剂；所述芯片堆叠结构包括基板，堆叠设置在所述基板上方的多个芯片，及用于使所述多个芯片之间，和/或所述多个芯片与所述基板之间实现电连接的多条导电线；所述多个芯片在所述基板上方依次堆叠形成第一台阶结构，所述多条导电线位于所述第一台阶结构的上方；

对所述第一台阶结构上方的密封剂执行多次研磨步骤，以切断所述多条导电线，得到所述待失效分析样品；

所述多次研磨步骤在所述密封剂上形成第二台阶结构，所述第二台阶结构位于所述第一台阶结构的上方。

2.根据权利要求1所述的待失效分析样品的制备方法，其特征在于，所述多个芯片包括在所述基板上依次堆叠的第1芯片、……、及第n芯片；其中，n为大于或等于2的正整数；

所述对所述第一台阶结构上方的密封剂执行多次研磨步骤，包括：

对所述第一台阶结构上方的密封剂执行第1次研磨，所述第1次研磨用于切断所述第n芯片与其下方芯片之间，和/或所述第n芯片与所述基板之间连接的导电线；其中，所述第1次研磨在所述密封剂上形成裸露的第1表面，所述第1表面位于所述第n芯片的上方。

3.根据权利要求2所述的待失效分析样品的制备方法，其特征在于，采用砂纸执行所述第1次研磨。

4.根据权利要求2所述的待失效分析样品的制备方法，其特征在于，从所述密封剂的整个上表面往下执行所述第1次研磨，得到所述裸露的第1表面。

5.根据权利要求2所述的待失效分析样品的制备方法，其特征在于，所述对所述第一台阶结构上方的密封剂执行多次研磨步骤，还包括：

对所述第一台阶结构上方的密封剂执行第m次研磨，所述第m次研磨用于切断所述第n-m+1芯片与其下方芯片之间，和/或所述第n-m+1芯片与所述基板之间连接的导电线；其中，m为大于1且小于或等于n的正整数；

所述第m次研磨在所述第一台阶结构上方的密封剂上形成裸露的第m-1侧壁及第m表面，所述第m-1侧壁与所述n-m+2芯片的任一侧面之间的最短距离大于零，所述第m表面位于所述第n-m+1芯片的上方。

6.根据权利要求5所述的待失效分析样品的制备方法，其特征在于，采用自动研磨装置执行所述第m次研磨。

7.根据权利要求1所述的待失效分析样品的制备方法，其特征在于，所述多次研磨步骤的次数与所述多个芯片的个数相同。

8.根据权利要求1所述的待失效分析样品的制备方法，其特征在于，所述多个芯片的尺寸相同。

9.一种待失效分析样品，其特征在于，采用权利要求1-8任一项所述的待失效分析样品的制备方法制备得到所述待失效分析样品。