[发明专利]半导体工艺设备

说明书

本发明提供一种半导体工艺设备，包括晶片传输模块和至少一个工艺腔室，每个工艺腔室均包括多个反应腔室，晶片传输模块用于向每个工艺腔室中的多个反应腔室中放入晶片，还包括控制装置，用于在待加工的晶片数量n小于当前待接收晶片的工艺腔室中的反应腔室数量时，控制晶片传输模块向工艺腔室中膜厚参数最小的前n个反应腔室中放入晶片。在本发明中，控制装置能够在当前批次的剩余待加工晶片数量小于工艺腔室中的反应腔室数量时，根据各反应腔室种的副产物镀膜调整优先级顺序，使镀膜厚度较小的反应腔室优先接收晶片并进行半导体工艺，提高了半导体工艺设备的腔室匹配性能，进而提高了各反应腔室产出晶片之间的一致性。

技术领域

本发明涉及半导体工艺设备领域，具体地，涉及一种半导体工艺设备。

背景技术

原子层沉积技术(Atomic Layer Deposition，ALD)是一种半导体薄膜的制备技术。随着电子元器件的发展进程进入到纳米级工艺技术，ALD工艺沉积薄膜应用更加广泛，大产能的设备需求越来越多，

同样，要求也越来越高。但基于ALD工艺的本身特性，生长速率低，

周期长，所需执行工艺时间长，严重影响设备的产能和腔室的利用率。

为此，市面上出现了在一个工艺腔室(Process Module，PM)中设置多个反应腔室(或称反应腔室，Reaction Chamber，RC)的腔室结构，通过能够同时运输多个晶片的机械手结构可同时向工艺腔室中的多个反应腔室同时取、放晶片，通过该设计组成的大产能平台和大产能腔室能够显著提高机台利用率、降低工艺成本。

然而，在利用现有的多腔半导体工艺设备进行晶片加工生产时，常出现不同工艺腔室之间、乃至同一工艺腔室中的反应腔室之间腔室环境差异过大的现象，导致产品片之间的一致性差，且反应腔室常需要频繁清洗，导致晶片产品良率低。

发明内容

本发明旨在提供一种半导体工艺设备，该半导体工艺设备产出晶片的一致性好。

为实现上述目的，本发明提供一种半导体工艺设备，包括晶片传输模块和至少一个工艺腔室，每个所述工艺腔室均包括多个反应腔室，所述晶片传输模块用于向每个所述工艺腔室中的多个反应腔室中放入晶片，所述半导体工艺设备还包括控制装置，所述控制装置用于在待加工的晶片数量n小于当前待接收晶片的所述工艺腔室中的反应腔室数量时，控制所述晶片传输模块向所述工艺腔室中膜厚参数最小的前n个反应腔室中放入晶片，其中，每个所述反应腔室的膜厚参数与所述反应腔室累计加工的晶片数量正相关。

可选地，所述控制装置具体用于：

在待加工的晶片数量n小于当前待接收晶片的所述工艺腔室中的反应腔室数量，且所述工艺腔室的多个反应腔室未对应有第一预设优先级顺序时，控制所述晶片传输模块向所述工艺腔室中膜厚参数最小的前n个反应腔室中放入晶片。

可选地，所述控制装置还用于：

在待加工的晶片数量n小于当前待接收晶片的所述工艺腔室中的反应腔室数量，且所述工艺腔室中的多个反应腔室对应有所述第一预设优先级顺序时，控制所述晶片传输模块向所述第一预设优先级顺序中的前n个反应腔室中放入晶片。

可选地，所述控制装置具体用于：

在待加工的晶片数量n小于当前待接收晶片的所述工艺腔室中的反应腔室数量，且所述工艺腔室中至少两个反应腔室的膜厚参数之间的差值大于预设差值时，控制所述晶片传输模块向所述工艺腔室中膜厚参数最小的前n个反应腔室中放入晶片。

可选地，所述控制装置还用于：

在待加工的晶片数量n小于当前待接收晶片的所述工艺腔室中的反应腔室数量，且所述工艺腔室中任意两个反应腔室的膜厚参数之间的差值均小于或等于预设差值时，控制所述晶片传输模块向默认优先级顺序中的前n个反应腔室中放入晶片。