[发明专利]一种显示基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种显示基板，包括弯折区和绑定区，其特征在于，所述显示基板还包括：

基底；

阻挡层，位于所述基底一侧；

第一过孔，在所述基底上的正投影位于所述弯折区，所述第一过孔贯穿所述阻挡层和部分所述基底，以暴露所述基底；

第二过孔，在所述基底上的正投影位于所述绑定区，所述第二过孔贯穿部分所述阻挡层，以暴露所述阻挡层。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述基底为柔性基底，在所述绑定区，包括依次层叠设置在所述基底上的阻挡层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层和层间绝缘层；

所述第二过孔依次贯穿所述层间绝缘层、所述栅极绝缘层、所述有源层、所述缓冲层和部分所述阻挡层。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述基底为柔性基底，在所述弯折区，包括依次层叠设置在所述基底上的阻挡层、缓冲层、栅极绝缘层和层间绝缘层；

所述第一过孔依次贯穿所述层间绝缘层、所述栅极绝缘层、所述阻挡层、所述缓冲层和部分所述基底。

4.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-3任一项所述的显示基板。

5.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基底；

通过构图工艺在所述基底一侧依次制作阻挡层和有源层，所述有源层包括第一有源层和第二有源层，所述第一有源层在所述基底上的正投影位于显示区，所述第二有源层在所述基底上的正投影位于绑定区；

通过构图工艺形成第一过孔和第二过孔，所述第一过孔在所述基底上的正投影位于弯折区，且贯穿所述阻挡层和部分所述基底，以暴露所述基底；所述第二过孔在所述基底上的正投影位于所述绑定区，且贯穿部分所述阻挡层，以暴露所述阻挡层。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述通过构图工艺形成第一过孔和第二过孔，包括：

通过第一次构图工艺，形成位于所述显示区的第三过孔、位于所述弯折区的第四过孔和位于所述绑定区的第五过孔，所述第三过孔暴露出所述第一有源层，所述第五过孔暴露出所述第二有源层；

通过第二次构图工艺，形成位于所述弯折区的第六过孔和位于所述绑定区的第七过孔，所述第六过孔贯穿所述阻挡层和部分所述基底，所述第七过孔贯穿部分所述阻挡层；其中：

所述第四过孔和所述第六过孔构成所述第一过孔，所述第五过孔和所述第七过孔构成所述第二过孔。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述通过第二次构图工艺，形成位于所述弯折区的第六过孔和位于所述绑定区的第七过孔，包括：

通过第一次刻蚀，形成位于所述弯折区的第八过孔，以及形成覆盖暴露出的所述第二有源层的保护层；

通过第二次刻蚀，形成位于所述弯折区的第九过孔和位于所述绑定区的第七过孔，所述第九过孔至少贯穿部分所述基底；其中：

所述第八过孔和所述第九过孔构成所述第六过孔。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述第一次刻蚀之后，且所述第二次刻蚀之前，包括：

去除所述保护层。

9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述第一次刻蚀，包括：采用包括四氟化碳、三氟甲烷和氩气的气体进行干法刻蚀；

和/或，所述第二次刻蚀，包括：采用包括四氟化碳和氧气的气体进行干法刻蚀。

10.根据权利要求5-9任一项所述的制作方法，其特征在于，所述通过构图工艺在所述基底一侧依次制作阻挡层和有源层之后，且所述通过构图工艺形成第一过孔和第二过孔之前，包括：

在所述有源层远离所述基底的一侧依次制作栅极绝缘层和层间绝缘层；

所述第一过孔还贯穿所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层；

所述第二过孔还贯穿所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层。