[发明专利]一种小型化的高消光比调制器件及其使用方法

权利要求书

1.一种小型化的高消光比调制器件，其特征在于，所述高消光比调制器件包括铌酸锂薄膜调制器和铌酸锂起偏器，所述铌酸锂薄膜调制器包括硅衬底(1)、在所述硅衬底(1)上设置有铌酸锂薄膜脊波导(2)和调制电极(3)，所述铌酸锂起偏器包括铌酸锂衬底(4)，在所述铌酸锂衬底(4)上设置有光波导(5)。

2.根据权利要求1所述的高消光比调制器件，其特征在于，所述铌酸锂薄膜调制器和铌酸锂起偏器通过模斑扩束镜(6)耦合。

3.根据权利要求1所述的高消光比调制器件，其特征在于，所述铌酸锂薄膜调制器还包括二氧化硅缓冲层(7)，所述二氧化硅缓冲层(7)设置在所述硅衬底(1)上，所述二氧化硅缓冲层(7)的厚度为3μm-5μm。

4.根据权利要求1所述的高消光比调制器件，其特征在于，所述铌酸锂薄膜脊波导(2)为MZI结构，所述铌酸锂薄膜脊波导(2)用于将入射光按功率1：1分成两束光输出。

5.根据权利要求4所述的高消光比调制器件，其特征在于，所述调制电极(3)分布于铌酸锂薄膜脊波导(2)两侧，电场E垂直于所述铌酸锂薄膜脊波导(2)直接进行调制。

6.根据权利要求1-5任一所述的高消光比调制器件，其特征在于，所述调制电极(3)的间距为0.7μm-1.5μm，电极长度2mm-3mm。

7.根据权利要求1-5任一所述的高消光比调制器件，其特征在于，所述铌酸锂薄膜脊波导(2)的厚度为0.5μm-1.5μm。

8.根据权利要求1-5任一所述的高消光比调制器件，其特征在于，所述调制电极(3)是由钛和金制作的双层电极结构。

9.根据权利要求1-5任一所述的高消光比调制器件，其特征在于，所述光波导(5)由质子交换工艺制作而成。

10.一种小型化的高消光比调制器件的使用方法，其特征在于，使用如权利要求1所述的小型化的高消光比调制器件，方法包括：

铌酸锂薄膜调制器将入射光按功率1：1分解为两束光进入铌酸锂薄膜脊波导的两个臂，并在分支两侧的调制电极上施加调制信号，使得两束光产生π的相位差，经由铌酸锂起偏器进入光纤环进行干涉；

由光纤环产生干涉的两束光由铌酸锂起偏器与光纤环的连接端口重新进入所述小型化的高消光比调制器件，铌酸锂起偏器滤掉入射光中的Tm模，再经过铌酸锂薄膜调制器合波后输出。