[发明专利]一种低频声波传感器及硅微悬臂梁的制作方法

权利要求书

1.一种低频声波传感器，其特征在于，包括：

硅微悬臂梁，为利用SOI晶圆制备的高长厚比几何结构，其厚度小于10μm，用于接收声波信号；

输入光纤，与所述硅微悬臂梁构成FP腔体，所述硅微悬臂梁到所述输入光纤上端面的距离为FP腔长；

封装结构，与所述硅微悬臂梁和所述输入光纤连接，用于固定所述硅微悬臂梁和所述输入光纤；

其中，所述硅微悬臂梁的制作方法，包括：S1：在SOI晶圆表面沉积一定厚度的氮化硅层；所述氮化硅既作为刻蚀硬掩膜，又作为防止埋氧层内应力破坏所述悬臂梁结构的保护层；S2：利用光刻胶将悬臂梁图形转移到所述氮化硅层的掩膜上，分多次刻蚀狭缝在所述SOI晶圆的器件层形成悬臂梁结构，从背面湿法腐蚀体硅至埋氧层截止；S3：依次去除剩余所述埋氧层和所述氮化硅层，释放悬臂梁；

所述声波信号的频率为0.5～250Hz，在250Hz以下频段的响应特性与理论高度吻合。

2.如权利要求1所述的低频声波传感器，其特征在于，所述硅微悬臂梁的厚度为所述SOI晶圆中器件层的厚度。

3.如权利要求1所述的低频声波传感器，其特征在于，所述封装结构上表面设有用于卡住所述硅微悬臂梁上方片的凹槽，下方固定有用于放置预埋所述输入光纤中插芯的陶瓷套筒，所述封装结构的中心与所述硅微悬臂梁的自由端对准。

4.如权利要求1所述的低频声波传感器，其特征在于，当所述声波信号的信号为5Hz时，所述低频声波传感器对应的声压响应的相位灵敏度达28.9rad/Pa。

5.如权利要求1所述的低频声波传感器，其特征在于，所述氮化硅的沉积方法为低压化学气相沉积。