[发明专利]多层结构复合隔膜及其制备方法、以及二次电池与用电设备有效
| 申请号： | 202110326143.1 | 申请日： | 2021-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN112886143B | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 耿振;刘利霞;李斯剑;苏青;廖文俊 | 申请（专利权）人： | 上海电气集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01M50/449 | 分类号： | H01M50/449;H01M50/403;H01M50/491;H01M50/497;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 刘亚威 |
| 地址： | 200336 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多层 结构 复合 隔膜 及其 制备 方法 以及 二次 电池 用电 设备 | ||
1.一种多层结构复合隔膜，其特征在于，所述多层结构复合隔膜包括多孔聚合物基膜、纳米氧化物颗粒和点状聚合物涂层；所述纳米氧化物颗粒的粒径为10-50nm，所述多孔聚合物基膜的孔径范围为0.05-0.3μm，所述纳米氧化物颗粒嵌入所述多孔聚合物基膜的孔中，并附着在所述多孔聚合物基膜的丝状结构上；所述多孔聚合物基膜的两面设置所述点状聚合物涂层；
其中，通过原子层沉积工艺将纳米氧化物颗粒沉积在多孔聚合物基膜的丝状结构上，使其完全嵌入多孔聚合物基膜的孔中，得到沉积纳米氧化物颗粒后的多孔聚合物基膜；
其中，所述原子层沉积工艺的工艺参数包括：
前驱体温度30-100℃；反应室真空度20-100Pa；基材温度80-110℃。
2.根据权利要求1所述的多层结构复合隔膜，其特征在于，所述多孔聚合物基膜包括聚乙烯、聚丙烯、聚酰胺、聚酰亚胺或其复合膜。
3.根据权利要求1所述的多层结构复合隔膜，其特征在于，所述多孔聚合物基膜的厚度为1-100μm。
4.根据权利要求1所述的多层结构复合隔膜，其特征在于，所述纳米氧化物颗粒包括Al2O3、TiO2、SiO2、ZrO2、ITO、In2O3、SnO2、HfO2、Ta2O5、Y2O3、MgO、La2O3、ZnO或NiO中的一种或几种。
5.根据权利要求1-4任一项所述的多层结构复合隔膜，其特征在于，所述点状聚合物涂层包括PVDF材料；所述点状聚合物涂层的厚度为1-5μm。
6.一种权利要求1-5任一项所述的多层结构复合隔膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在所述沉积纳米氧化物颗粒后的多孔聚合物基膜的两面点状涂敷聚合物涂层，得到多层结构复合隔膜。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，点状涂敷聚合物涂层的方式为喷涂。
8.一种二次电池，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的多层结构复合隔膜或权利要求6或7所述的制备方法制得的多层结构复合隔膜。
9.一种用电设备，其特征在于，包括权利要求8所述的二次电池。
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