[发明专利]一种全覆盖钙钛矿薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种全覆盖钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，将PbI₂粉末和CH₃NH₃I粉末混合后加入溶剂进行磁力搅拌，得到完全反应的CH₃NH₃PbI₃前驱体；将CH₃NH₃PbI₃前驱体滴加在FTO基体上，使用反溶剂法进行旋涂处理，得到全覆盖钙钛矿薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，PbI₂粉末和CH₃NH₃I的物质的量之比为1：1～3。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，磁力搅拌时间为30～60min，当混合粉末的颜色变黄后停止搅拌。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，溶剂为N，N-二甲基甲酰胺、γ-丁内酯或二甲亚砜中的任一种。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，PbI₂粉末和CH₃NH₃I粉末混合后与溶剂的物质的量之比为1：1～3。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，旋涂处理具体为：

将CH₃NH₃PbI₃前驱体滴加在FTO基体上，在1000～1300r/min下旋涂10～15s，然后在2000～2300r/min旋涂30～35s，最后10～20s滴加反溶剂。

7.根据权利要求1或6所述的方法，其特征在于，反溶剂为氯苯。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将旋涂处理得到的全覆盖钙钛矿薄膜在80～120℃退火处理30～60min。

9.一种全覆盖钙钛矿薄膜，其特征在于，根据权利要求1所述方法制备而成。

10.根据权利要求9所述的全覆盖钙钛矿薄膜，其特征在于，全覆盖钙钛矿薄膜的表面粗糙度小于20nm，全覆盖钙钛矿薄膜的厚度为100nm～100μm；全覆盖钙钛矿薄膜的晶粒直径为10nm～1μm。