[发明专利]激光转印方法在审

申请号：	202110326858.7	申请日：	2021-03-26
公开（公告）号：	CN113066716A	公开（公告）日：	2021-07-02
发明（设计）人：	沈梦超;曹育红;符黎明	申请（专利权）人：	常州时创能源股份有限公司
主分类号：	H01L21/203	分类号：	H01L21/203;H01L31/18
代理公司：	暂无信息	代理人：	暂无信息
地址：	213300 江苏***	国省代码：	江苏;32
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	激光方法
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【说明书】：

本发明公开了一种激光转印方法，将板状非晶硅靶材分出多个转印区域，通过调整靶材位置使靶材上的转印区域依次得到激光照射，在保证转印效果的同时实现靶材的多次利用，能够大幅降低靶材的成本。

技术领域

本发明涉及激光转印技术领域，具体涉及一种半导体器件的非晶硅激光转印方法。

背景技术

非晶硅是在半导体和太阳电池领域广泛利用的半导体材料，如通过激光转印的方法在半导体器件表面制备图案化的非晶硅层，该方法使用激光照射非晶硅靶材，将靶材上的非晶硅转印至半导体器件表面，形成图案化的非晶硅层。现有的非晶硅靶材一般采用平整的石英材料作为载板，板状非晶硅靶材在激光转印工艺过程中通常使用寿命只有一次，板状非晶硅靶材有大部分区域被浪费，这极大的增加了非晶硅激光转印的成本。

发明内容

本发明的目的在于提供一种激光转印方法，将板状非晶硅靶材分出多个转印区域；

首次激光照射前，使某个未被激光照射的转印区域与激光器的照射路径正对，以靶材上与照射路径正对、且未被激光照射的转印区域为待转印区域；

每次激光照射时，将待激光转印非晶硅的半导体器件置于靶材正下方，且使半导体器件需要转印非晶硅的区域与靶材的待转印区域正对；激光器按照预定的照射路径对靶材的待转印区域进行激光照射，使靶材上被激光照射区域的非晶硅转印至半导体器件表面，在半导体器件表面形成与照射路径相对应的图案化的非晶硅层；以靶材上已被激光照射过的区域为已转印区域；

每次激光照射后，使靶材的已转印区域移出照射路径，且使靶材上另一个未被激光照射的转印区域与激光器的照射路径正对，使该转印区域成为后次激光照射的待转印区域；

使靶材上的转印区域依次得到激光照射，直至靶材上所有的转印区域都完成激光照射。

本发明的优点和有益效果在于：提供一种激光转印方法，将板状非晶硅靶材分出多个转印区域，通过调整靶材位置使靶材上的转印区域依次得到激光照射，在保证转印效果的同时实现靶材的多次利用，能够大幅降低靶材的成本。

具体实施方式

下面结合实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。

本发明提供一种激光转印方法，将板状非晶硅靶材分出多个转印区域；

首次激光照射前，使某个未被激光照射的转印区域与激光器的照射路径正对，以靶材上与照射路径正对、且未被激光照射的转印区域为待转印区域；

使靶材上的转印区域依次得到激光照射，直至靶材上所有的转印区域都完成激光照射。

本发明还提供一种采用靶材承载装置实施激光转印的方法：

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州时创能源股份有限公司，未经常州时创能源股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】