[发明专利]一种CMOS图像传感器及其制作方法

权利要求书

1.一种CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

形成金属滤光层；

形成多个滤光孔于所述金属滤光层中，所述滤光孔在垂直方向上贯穿所述金属滤光层；

形成隔离介质层于所述滤光孔的侧壁；

依次形成底部透明电极、感光层及顶部透明电极于所述滤光孔中。

2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于：多个所述滤光孔呈周期性排列。

3.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于：多个所述滤光孔包括多个第一滤光孔、多个第二滤光孔及多个第三滤光孔，所述第一滤光孔、所述第二滤光孔及所述第三滤光孔的孔径互不相同。

4.根据权利要求3所述的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于：所述第一滤光孔用于透过红光，所述第二滤光孔用于透过绿光，所述第三滤光孔用于透过蓝光。

5.根据权利要求3所述的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于：多个所述滤光孔呈拜耳阵列排布或蜂窝阵列排布。

6.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于：所述感光层包括有机感光材料。

7.根据权利要求6所述的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于：所述有机感光材料包括富勒烯衍生物。

8.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于：所述感光层的厚度范围是50-100nm，所述金属滤光层的厚度范围是70-120nm。

9.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于：还包括提供一衬底，并形成读出电路及互连层的步骤，所述读出电路位于所述衬底中，所述互连层位于所述衬底与所述金属滤光层之间以电连接所述读出电路及所述底部透明电极。

10.一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括：

金属滤光层；

多个滤光孔，位于所述金属滤光层中，并在垂直方向上贯穿所述金属滤光层；

隔离介质层，位于所述滤光孔的侧壁；

三明治结构，位于所述滤光孔中，并自下而上依次包括底部透明电极、感光层及顶部透明电极。

11.根据权利要求10所述的CMOS图像传感器，其特征在于：多个所述滤光孔呈周期性排列。

12.根据权利要求10所述的CMOS图像传感器，其特征在于：多个所述滤光孔包括多个第一滤光孔、多个第二滤光孔及多个第三滤光孔，所述第一滤光孔、所述第二滤光孔及所述第三滤光孔的孔径互不相同。

13.根据权利要求12所述的CMOS图像传感器，其特征在于：所述第一滤光孔用于透过红光，所述第二滤光孔用于透过绿光，所述第三滤光孔用于透过蓝光。

14.根据权利要求12所述的CMOS图像传感器，其特征在于：多个所述滤光孔呈拜耳阵列排布或蜂窝阵列排布。

15.根据权利要求10所述的CMOS图像传感器，其特征在于：所述感光层包括有机感光材料。

16.根据权利要求15所述的CMOS图像传感器，其特征在于：所述有机感光材料包括富勒烯衍生物。

17.根据权利要求10所述的CMOS图像传感器，其特征在于：所述感光层的厚度范围是50-100nm，所述金属滤光层的厚度范围是70-120nm。

18.根据权利要求10所述的CMOS图像传感器，其特征在于：所述CMOS图像传感器还包括读出电路及互连层，所述读出电路位于衬底中，所述互连层位于所述衬底与所述金属滤光层之间以电连接所述读出电路及所述底部透明电极。