[发明专利]功率放大电路在审

专利信息
申请号: 202110329911.9 申请日: 2021-03-26
公开(公告)号: CN113472304A 公开(公告)日: 2021-10-01
发明(设计)人: 筒井孝幸;田中聪 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H03F3/20 分类号: H03F3/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 刘慧群
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 功率 放大 电路
【权利要求书】:

1.一种功率放大电路,其特征在于,具备:

第1放大器,将被供给的第1RF信号放大并输出第2RF信号;

第2放大器,将被供给的所述第2RF信号放大并输出第3RF信号;

偏置电路,向所述第1放大器或者所述第2放大器供给偏置电流或者电压;和

偏置调整电路,基于所述第1RF信号、所述第2RF信号或者所述第3RF信号对所述偏置电流或者电压进行调整,

所述偏置调整电路包含:第1二极管,在阳极被输入表示基于所述第1RF信号、所述第2RF信号或者所述第3RF信号的任一者的信号的控制信号,阴极与接地连接,

所述偏置电路包含:偏置晶体管,基于所述第1二极管的所述阳极的电压来输出所述偏置电流或者电压。

2.根据权利要求1所述的功率放大电路,其特征在于,

所述第1放大器具备被供给所述第1RF信号的第1供给端子和输出所述第2RF信号的第1输出端子,

所述第2放大器具备与所述第1放大器的第1输出端子连接且被供给所述第2RF信号的第2供给端子和输出所述第3RF信号的第2输出端子,

所述偏置电路的所述偏置晶体管的发射极与所述第1放大器的所述第1供给端子或者所述第2放大器的所述第2供给端子连接,

所述偏置调整电路的所述第1二极管的阳极与所述第1供给端子、所述第1输出端子或者所述第2输出端子连接,

所述偏置晶体管的基极与所述第1二极管的所述阳极连接。

3.根据权利要求1或2所述的功率放大电路,其特征在于,

所述偏置调整电路还包含第1电阻器,

在所述第1二极管的阳极,通过所述第1电阻器被输入所述控制信号。

4.根据权利要求3所述的功率放大电路,其特征在于,

在所述第1二极管的所述阳极连接所述第1电阻器。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的功率放大电路,其特征在于,

所述偏置调整电路还具备第2电阻器,

所述第1二极管的阳极的电压通过所述第2电阻器被供给至所述偏置电路。

6.根据权利要求5所述的功率放大电路,其特征在于,

在所述第1二极管的所述阳极连接所述第2电阻器。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的功率放大电路,其特征在于,

所述偏置电路还包含:

第2二极管,在阳极被供给所述第1二极管的阳极的电压,阴极被接地;和

第3二极管,阴极与所述第2二极管的阳极连接,在阳极被供给偏置控制电压或者电流,

所述偏置晶体管的基极或者栅极与所述第3二极管的阳极连接。

8.根据权利要求7所述的功率放大电路,其特征在于,

所述第2二极管的阳极与所述第1二极管的阳极连接,

所述第3二极管的所述阳极与供给所述偏置控制电压或者电流的电源端子连接。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的功率放大电路,其特征在于,

在所述偏置调整电路中还包含:电容器,在一端被输入所述第1RF信号、所述第2RF信号或者所述第3RF信号,从另一端输出所述控制信号。

10.根据权利要求9所述的功率放大电路,其特征在于,

所述电容器的所述一端与所述第1放大器中的被供给所述第1RF信号的第1供给端子、所述第1放大器中的输出所述第2RF信号的第1输出端子、或者所述第2放大器中的输出所述第3RF信号的第2输出端子连接,

所述电容器的所述另一端与所述第1二极管的阳极直接连接,或者通过与所述第1二极管的阳极连接的第1电阻器而连接。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的功率放大电路,其特征在于,

所述偏置调整电路还包含:耦合器,与所述第2放大器的输出路径耦合,输出基于所述第3RF信号的所述信号。

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