[发明专利]发光二极管外延片的制备方法有效
申请号: | 202110330162.1 | 申请日: | 2021-03-29 |
公开(公告)号: | CN113284986B | 公开(公告)日: | 2023-03-24 |
发明(设计)人: | 王群;郭志琰;葛永晖;郭炳磊;董彬忠;李鹏 | 申请(专利权)人: | 华灿光电(浙江)有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 吕耀萍 |
地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管外延片的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:
提供一衬底;
在所述衬底上生长n型GaN层;
在所述n型GaN层上交替生长GaN垒层与InGaN阱层以形成多量子阱层,所述多量子阱层中的至少一个所述InGaN阱层,依照循环流程进行生长,所述循环流程,包括:
向反应腔交替通入金属有机源与阱层氨气,所述金属有机源包括镓源与铟源,且所述镓源与所述铟源同步通入,以形成所述InGaN阱层;
在所述多量子阱层上生长p型GaN层。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,每次向所述反应腔通入的金属有机源的时长与每次向所述反应腔通入的阱层氨气的时长之比的取值范围为1:1-1:5。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,每次向所述反应腔通入的阱层氨气的时长的取值范围为20~60s,每次向所述反应腔通入的金属有机源的时长的取值范围为2~50s。
4.根据权利要求1~3任一项所述的制备方法,其特征在于,所述循环流程,还包括:
在最后一次持续向所述反应腔通入阱层氨气的过程中,向所述反应腔通入镓源。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述循环流程,还包括:
若最后一次向所述反应腔通入阱层氨气的时长达到设定时长,所述设定时长为最后一次持续向所述反应腔通入阱层氨气的总时长的1/3~1/2,则向所述反应腔通入镓源,直至形成所述InGaN阱层。
6.根据权利要求1~3任一项所述的制备方法,其特征在于,所述多量子阱层中最靠近所述n型GaN层的两个所述InGaN阱层,依照所述循环流程进行生长。
7.根据权利要求1~3任一项所述的制备方法,其特征在于,生长所述GaN垒层,包括:
向所述反应腔通入流量恒定的镓源与流量变化的垒层氨气,以形成所述GaN垒层,所述垒层氨气的流量存在多个变化周期,所述垒层氨气的流量在每个所述变化周期内先减小再增大。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述垒层氨气的流量在每个所述变化周期内的最大值的取值范围为60~140L/min,所述垒层氨气的流量在每个所述变化周期内的最小值的取值范围为10~40L/min。
9.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,每个所述变化周期的时长的取值范围为5~300s。
10.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,每个所述变化周期内,所述垒层氨气的流量减小的时长与所述垒层氨气的流量增加的时长相等。
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