[发明专利]集成高K金属栅极和氧化物多晶硅栅极的结构和制备方法

权利要求书

1.集成高K金属栅极和氧化物多晶硅栅极的结构，其特征在于，至少包括：

衬底；位于所述衬底上的氧化物多晶硅栅极；

高K金属栅极；所述高K金属栅极包含高K介质层、金属栅层以及金属电极层；所述金属栅层位于所述高K介质层之上，并且所述金属栅层包裹在所述金属电极层的外围；

所述高K金属栅极不完全覆盖于所述氧化物多晶硅栅极一侧并沿该氧化物多晶硅栅极一侧连续覆盖于所述衬底上；

所述氧化物多晶硅栅极以及所述高K金属栅极外侧的衬底上设有金属硅化物层；所述氧化物多晶硅栅极中未被所述高K金属栅极覆盖的表面设有所述金属硅化物层；

设于所述氧化物多晶硅栅极外侧壁以及所述高K金属栅极外侧壁的栅极侧墙；

覆盖于所述氧化物多晶硅栅极、所述高K金属栅极以及所述衬底上的金属硅化物层上的层间介质层；

所述衬底上的所述金属硅化物、所述氧化物多晶硅栅极表面的金属硅化物以及所述金属电极层的上表面设有贯穿于所述层间介电层中的导电接触件。

2.根据权利要求1所述的集成高K金属栅极和氧化物多晶硅栅极的结构，其特征在于：所述氧化物多晶硅栅极包含氧化物介质层和位于所述氧化物介质层上的多晶硅栅层。

3.根据权利要求1所述的集成高K金属栅极和氧化物多晶硅栅极的结构，其特征在于：所述氧化物多晶硅栅极为氧化物介质层和位于所述氧化物介质层上的多晶硅栅层交替堆叠构成的叠层结构。

4.根据权利要求1所述的集成高K金属栅极和氧化物多晶硅栅极的结构，其特征在于：所述高K介质层为ZrO₂、ZrON、ZrSiON、HfZrO、HfZrON、HfON、HfO₂、HfAlO、HfAlON、HfSiO、HfSiON、HfLaO、HfLaON中的一种或多种的组合。

5.根据权利要求1所述的集成高K金属栅极和氧化物多晶硅栅极的结构，其特征在于：所述金属栅层为TiN、TaN、MoN、WN、TaC或TaCN中的一种或多种的组合。

6.根据权利要求1所述的集成高K金属栅极和氧化物多晶硅栅极的结构，其特征在于：所述金属电极层为Al、Cu、Pt、Ru、Pd、Ti中的一种或多种的组合。

7.根据权利要求1所述的集成高K金属栅极和氧化物多晶硅栅极的结构，其特征在于：所述金属硅化物层为NiSi、PtSi、TiSi₂、CoSi₂中的一种多多种的组合。

8.根据权利要求1所述的集成高K金属栅极和氧化物多晶硅栅极的结构，其特征在于：所述栅极侧墙为SiO₂、SiN中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的集成高K金属栅极和氧化物多晶硅栅极的结构，其特征在于：所述衬底为Si衬底、FDSOI衬底或表面有外延生长SiGe的衬底。