[发明专利]COMS生产工艺中节省轻掺杂光罩数的方法

权利要求书

1.一种COMS生产工艺中节省轻掺杂光罩数的方法，其特征在于，包括：

制作集成有N型器件和P型器件的半导体器件，所述N型器件包括核心NMOS管、输入输出NMOS管，所述P型器件包括核心PMOS管、输入输出PMOS管；

在所述半导体器件表面涂覆一层氧化层；

利用第一光罩刻蚀掉所述核心NMOS管和所述核心PMOS管所在区域的氧化层；

利用第二光罩向所述核心NMOS管及所述输入输出PMOS管进行第一N型LDD离子注入及第一P型袋状离子注入，以在所述核心NMOS管栅极结构两侧的衬底上形成第一超浅结及第一袋状结构，在所述输入输出PMOS管栅极结构两侧的衬底上形成第二超浅结；

利用第三光罩向所述核心PMOS管及所述输入输出NMOS管进行第二N型LDD离子注入及第二P型袋状离子注入，以在所述核心PMOS管栅极结构两侧的衬底上形成第三超浅结及第二袋状结构，在所述输入输出NMOS管栅极结构两侧的衬底上形成第四超浅结。

2.如权利要求1所述的COMS生产工艺中节省轻掺杂光罩数的方法，其特征在于，所述氧化层为二氧化硅。

3.如权利要求1所述的COMS生产工艺中节省轻掺杂光罩数的方法，其特征在于，所述第一N型LDD离子及所述第二N型离子的注入深度小于所述氧化层的厚度，且所述第一P型袋状离子及所述第二P型袋状离子的注入深度大于或等于所述氧化层的厚度。

4.如权利要求3所述的COMS生产工艺中节省轻掺杂光罩数的方法，其特征在于，所述氧化层的厚度介于150埃-300埃之间。

5.如权利要求3所述的COMS生产工艺中节省轻掺杂光罩数的方法，其特征在于，所述第一N型LDD离子及所述第二N型LDD离子均为砷。

6.如权利要求3所述的COMS生产工艺中节省轻掺杂光罩数的方法，其特征在于，所述第一P型袋状离子及所述第二P型袋状离子均为BF₂。

7.如权利要求1所述的COMS生产工艺中节省轻掺杂光罩数的方法，其特征在于，所述输入输出NMOS管的工作电压与所述输入输出PMOS管的工作电压不同。

8.如权利要求1所述的COMS生产工艺中节省轻掺杂光罩数的方法，其特征在于，所述输入输出NMOS管或所述输入输出PMOS管的工作电压为1.8V、3.3V、5V、7V或12V。

9.如权利要求1所述的COMS生产工艺中节省轻掺杂光罩数的方法，其特征在于，利用第三光罩向所述核心PMOS管及所述输入输出NMOS管进行第二N型LDD离子注入及第二P型袋状离子注入之后，刻蚀去除所述P型器件所在区域的氧化层；

在所述半导体器件表面涂覆光刻胶；

刻蚀去除位于所述P型器件所在区域上的光刻胶；

向所述P型器件所在区域进行漏源离子注入；

在所述P型器件栅极结构两侧的衬底中形成漏极和源极后，去除所述半导体器件表面的光刻胶。

10.如权利要求9所述的COMS生产工艺中节省轻掺杂光罩数的方法，其特征在于，去除所述半导体器件表面的光刻胶后，在所述半导体器件表面涂覆光刻胶；

刻蚀去除位于所述N型器件所在区域上的光刻胶；

向所述N型器件所在区域进行漏源离子注入；

在所述N型器件栅极结构两侧的衬底中形成漏极和源极后，去除所述半导体器件表面的光刻胶。