[发明专利]一种用于PLD的钴酸镧陶瓷靶材及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种用于PLD的钴酸镧陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）混合并造粒

以La和Co物质的量为1:1的比例称取氧化镧和四氧化三钴粉末，于有机溶剂中混合并首次研磨后，加热干燥，再依次加入有机溶剂和粘结剂进行再次研磨，再次加热干燥，制得混合粉末；混合研磨的时间和加入粘结剂后研磨的时间分别为10-20min和5-10min；两次加热干燥的温度均为55-65℃，干燥时间均为20-30min；

所述有机溶剂均为无水乙醇，所述首次研磨过程中加入的无水乙醇与混合粉末的添加比例为1.0-1.5mL:1g，所述再次研磨过程中再次添加无水乙醇与粘结剂的添加比例为体积比4-5:1；

所述粘结剂为聚乙烯醇和去离子水于80-120℃水浴锅中加热搅拌6-10h后制得的，其中聚乙烯醇与去离子水的添加比例为1g：10.0-15.0mL；

（2）预烧

将步骤（1）制得的混合粉末升温至脱水脱碳，冷却至室温，研磨制得前驱体粉末；

升温过程为：首先室温条件下升温至150-200℃保持1-2h，再升温至450-550℃保持1-2h，最后升温至800-950℃保持8-12h，其中升温速率均为7-10℃/min；

（3）压靶成型

将前驱体粉末于10-15MPa保持7-15min，压制成靶材形状；

（4）烧结

将步骤（3）所得物于常压、空气氛围中程序升温烧结，制得；所述程序升温过程为：由室温升温至800-950℃保持1-3h，然后升温至1150-1300℃并保持10-12h，最后自然冷却至室温，升温速率均为7-10℃/min。

2.采用权利要求1所述的用于PLD的钴酸镧陶瓷靶材的制备方法制备得到的用于PLD的钴酸镧陶瓷靶材。

3.一种LCO外延薄膜，其特征在于，通过权利要求2所述的用于PLD的钴酸镧陶瓷靶材进行制备。

4.如权利要求3所述的LCO外延薄膜，其特征在于，制备过程包括：将用于PLD的钴酸镧陶瓷靶材使用砂纸打磨光滑，使用PLD系统进行激光溅射，再用于生长单晶LCO薄膜；其中，激光的能量密度为1.0-2.0J/cm²。