[发明专利]制造半导体器件的光致抗蚀剂组合物和方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：

形成包含光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂层；

将所述光致抗蚀剂层选择性暴露到光化辐射以形成潜在图案；以及

通过将显影剂施加至经选择性暴露的光致抗蚀剂层来使所述潜在图案显影以形成图案，

其中所述光致抗蚀剂组合物包含：

含碘敏化剂；

光活性化合物；和

聚合物，以及

其中所述含碘敏化剂包括碘化铵、碘化鏻、杂环碘化铵中的一种或多种，

I-X₁、

其中X₁、X₂、X₃和X₄独立地是直接键、C6-C30碘代芳基、C1-C30碘代烷基、C3-C30碘代环烷基、C1-C30碘代羟烷基、C2-C30碘代烷氧基、C3-C30碘代烷氧基烷基、C1-C30碘代乙酰基、C2-C30碘代乙酰基烷基、C1-C30碘代羧基、C2-C30碘代烷基羧基和C4-C30碘代环烷基羧基；C3-C30饱和或不饱和的碘代烃环，或C3-C30碘代杂环基，

A₁、A₂、A₃和A₄独立地是酸不稳定的基团，所述酸不稳定的基团选自C6-C15碘代芳基、C4-C15碘代烷基、C4-C15碘代环烷基、C4-C15碘代羟烷基、C4-C15碘代烷氧基和C4-C15碘代烷氧基烷基。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述光化辐射是极紫外辐射。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括在将所述光致抗蚀剂层选择性暴露到光化辐射以形成潜在图案之后和在显影所述潜在图案之前加热所述光致抗蚀剂层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中X₁、X₂、X₃、X₄、A₁、A₂、A₃和A₄独立地是链基、环基或3-D基团。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述碘化物是三碘化物。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述含碘敏化剂是以下中的一种或多种：

其中R₁、R₂、R₃和R₄独立地是C2-C15烷基、C3-C15环烷基、C1-C15羟烷基、C2-C15烷氧基、C3-C15烷氧基烷基、C1-C15乙酰基、C2-C15乙酰基烷基、C1-C15羧基、C2-C15烷基羧基、C4-C15环烷基羧基、C3-C15饱和或不饱和的烃环、C2-C15杂环基，或R₁和R₂形成环。

7.根据权利要求6所述的方法，其中R₁、R₂、R₃和R₄独立地是链、环或3-D结构。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述含碘敏化剂是以下中的一种或多种：

9.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：

形成包含光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂层；

将光致抗蚀剂层暴露到光化辐射；和

通过将显影剂施加至图案化暴露的光致抗蚀剂层上施加显影剂来显影所述图案暴露的光致抗蚀剂层以形成图案，

其中所述光致抗蚀剂组合物包含：

敏化剂；

光活性化合物；和

聚合物，以及

其中所述光活性化合物是具有以下结构的碘鎓化合物：

其中D1是空间位阻取代的和未被取代的环烷烃、内酯和3-D结构中的一种或多种。

10.一种光致抗蚀剂组合物，所述组合物包含：

含碘敏化剂；

光活性化合物；和

聚合物

其中所述含碘敏化剂包括碘化铵、碘化鏻、杂环碘化铵中的一种或多种，

I-X₁、

其中X₁、X₂、X₃和X₄独立地是直接键、C6-C30碘代芳基、C1-C30碘代烷基、C3-C30碘代环烷基、C1-C30碘代羟烷基、C2-C30碘代烷氧基、C3-C30碘代烷氧基烷基、C1-C30碘代乙酰基、C2-C30碘代乙酰基烷基、C1-C30碘代羧基、C2-C30碘代烷基羧基和C4-C30碘代环烷基羧基；C3-C30饱和或不饱和的碘代烃环，或C3-C30碘代杂环基，

A₁、A₂、A₃和A₄独立地是酸不稳定的基团，所述酸不稳定的基团选自C6-C15碘代芳基、C4-C15碘代烷基、C4-C15碘代环烷基、C4-C15碘代羟烷基、C4-C15碘代烷氧基和C4-C15碘代烷氧基烷基。